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研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法.pdf

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研磨剂 使用 研磨 方法
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摘要
申请专利号:

CN200980114267.0

申请日:

2009.04.22

公开号:

CN102017091B

公开日:

2014.10.29

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情: 授权|||著录事项变更IPC(主分类):C09K 3/14变更事项:申请人变更前:日立化成工业株式会社变更后:日立化成株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都千代田区丸内一丁目9番2号|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/304申请日:20090422|||公开
IPC分类号: C09K3/14; C09G1/02; B24B37/04(2012.01)I; H01L21/3105 主分类号: C09K3/14
申请人: 日立化成株式会社
发明人: 星阳介; 龙崎大介; 小山直之; 野部茂
地址: 日本东京都千代田区丸内一丁目9番2号
优先权: 2008.04.23 JP 2008-112443; 2008.04.23 JP 2008-112444; 2008.04.23 JP 2008-112445; 2008.11.26 JP 2008-301277; 2008.11.26 JP 2008-301285; 2008.11.26 JP 2008-301298
专利代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶
PDF完整版下载: PDF下载
法律状态
申请(专利)号:

CN200980114267.0

授权公告号:

102017091B|||||||||

法律状态公告日:

2014.10.29|||2014.10.15|||2011.06.01|||2011.04.13

法律状态类型:

授权|||著录事项变更|||实质审查的生效|||公开

摘要

本发明涉及含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂的研磨剂,该添加剂含有阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一者。本发明提供一种在使绝缘膜平坦化的CMP技术中可以高速且低研磨损伤地研磨绝缘膜、且氧化硅膜与停止膜的研磨速度比高的研磨剂。而且提供一种保管该研磨剂时的研磨剂组件及使用有该研磨剂的基板研磨方法。

关于本文
本文标题:研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法.pdf
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