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    1、(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202210781375.0 (22)申请日 2022.07.04 (30)优先权数据 10-2021-0092148 2021.07.14 KR (71)申请人 三星显示有限公司 地址 韩国京畿道龙仁市 (72)发明人 柳春基 (74)专利代理机构 北京钲霖知识产权代理有限 公司 11722 专利代理师 李英艳玉昌峰 (51)Int.Cl. H01L 27/15(2006.01) H01L 33/62(2010.01) (54)发明名称 显示装置 (57)摘要 提供一种显示装置。 显示装置包

    2、括: 基板; 显 示焊盘, 配置于所述基板上, 并界定向厚度方向 贯通的贯通孔; 第一凸出图案, 填充所述贯通孔, 并向所述显示焊盘的上方凸出; 焊盘连接图案, 与所述第一凸出图案重叠, 并与所述显示焊盘电 连接; 以及外部装置, 配置于所述焊盘连接图案 上, 并包括与所述焊盘连接图案电连接的连接引 线。 权利要求书2页 说明书22页 附图22页 CN 115621296 A 2023.01.17 CN 115621296 A 1.一种显示装置, 其中, 包括: 基板; 显示焊盘, 配置于所述基板上, 并界定向厚度方向贯通的贯通孔; 第一凸出图案, 填充所述贯通孔, 并向所述显示焊盘的上方凸出

    3、; 焊盘连接图案, 与所述第一凸出图案重叠, 并与所述显示焊盘电连接; 以及 外部装置, 配置于所述焊盘连接图案上, 并包括与所述焊盘连接图案电连接的连接引 线。 2.根据权利要求1所述的显示装置, 其中, 所述贯通孔提供为多个, 所述第一凸出图案提供为多个, 所述第一凸出图案各自填充一个所述贯通孔。 3.根据权利要求2所述的显示装置, 其中, 所述贯通孔包括平面上四边形形状。 4.根据权利要求1所述的显示装置, 其中, 所述贯通孔提供为多个, 所述第一凸出图案提供为多个, 多个所述第一凸出图案中的至少任一个填充多个所述贯通孔。 5.根据权利要求1所述的显示装置, 其中, 所述贯通孔包括: 第

    4、一贯通孔, 具有第一直径; 以及第二贯通孔, 具有大于所述第一直 径的第二直径。 6.根据权利要求1所述的显示装置, 其中, 所述显示装置还包括: 第二凸出图案, 配置于所述显示焊盘上, 并与所述贯通孔不重叠。 7.根据权利要求1所述的显示装置, 其中, 所述显示焊盘还界定焊盘凹槽, 所述焊盘凹槽包括从所述显示焊盘的一面向另一面凹 陷的形状, 所述第一凸出图案填充所述焊盘凹槽, 并向所述显示焊盘的上方凸出。 8.根据权利要求1所述的显示装置, 其中, 所述显示焊盘包括依次层叠的第一叠层导电层以及第二叠层导电层, 所述贯通孔包括: 第一子贯通孔, 由所述第一叠层导电层界定; 以及第二子贯通孔,

    5、由 所述第二叠层导电层界定。 9.根据权利要求1所述的显示装置, 其中, 所述显示装置还包括: 第一发光区域, 发出第一颜色的光; 第二发光区域, 发出与所述 第一颜色不同的第二颜色的光; 发光元件, 配置于所述第一发光区域以及所述第二发光区 域各自, 所述显示焊盘包括: 第一显示焊盘, 与配置于所述第一发光区域的所述发光元件电连 接; 以及第二显示焊盘, 与配置于所述第二发光区域的所述发光元件电连接。 10.根据权利要求9所述的显示装置, 其中, 所述第一显示焊盘由第一导电层构成, 所述第二显示焊盘由与所述第一导电层不同的 第二导电层构成。 11.根据权利要求10所述的显示装置, 其中, 权

    6、利要求书 1/2 页 2 CN 115621296 A 2 所述显示装置还包括: 第三发光区域, 发出与所述第一颜色以及所述第二颜色不同的 第三颜色的光; 以及发光元件, 配置于所述第三发光区域, 所述显示焊盘还包括: 第三显示焊盘, 与配置于所述第三发光区域的所述发光元件电 连接, 并由与所述第一导电层以及所述第二导电层不同的第三导电层构成。 12.根据权利要求9所述的显示装置, 其中, 所述显示装置还包括: 显示区域, 显示画面; 以及非显示区域, 配置于所述显示区域的 周边, 所述第一发光区域以及所述第二发光区域配置于所述显示区域, 所述显示焊盘配置于所述非显示区域。 13.根据权利要求

    7、9所述的显示装置, 其中, 在所述第一发光区域以及所述第二发光区域各自中配置多个发光元件。 14.根据权利要求13所述的显示装置, 其中, 所述发光元件为微型发光二极管元件。 15.一种显示装置, 其中, 包括: 第一发光区域, 发出第一颜色的光; 第二发光区域, 发出与所述第一颜色不同的第二颜色的光; 发光元件, 配置于所述第一发光区域以及所述第二发光区域各自; 以及 显示焊盘, 包括: 第一显示焊盘, 与配置于所述第一发光区域的所述发光元件电连接; 以及第二显示焊盘, 与配置于所述第二发光区域的所述发光元件电连接, 所述第一显示焊盘以及所述第二显示焊盘各自界定向厚度方向贯通的至少一个贯通

    8、孔, 所述第一显示焊盘由第一导电层构成, 所述第二显示焊盘由与所述第一导电层不同的 第二导电层构成。 16.根据权利要求15所述的显示装置, 其中, 所述显示装置还包括: 凸出图案, 填充所述贯通孔, 并向所述显示焊盘的上方凸出。 17.根据权利要求16所述的显示装置, 其中, 所述贯通孔提供为多个, 所述凸出图案提供为多个, 所述凸出图案各自填充一个所述贯通孔。 18.根据权利要求16所述的显示装置, 其中, 所述显示装置还包括: 焊盘连接图案, 与所述凸出图案重叠, 并与所述显示焊盘电连 接; 以及外部装置, 配置于所述焊盘连接图案上, 并包括与所述焊盘连接图案电连接的连接 引线。 19.

    9、根据权利要求15所述的显示装置, 其中, 在所述第一发光区域以及所述第二发光区域各自中配置多个发光元件。 20.根据权利要求19所述的显示装置, 其中, 所述发光元件为微型发光二极管元件。 权利要求书 2/2 页 3 CN 115621296 A 3 显示装置 技术领域 0001 本发明涉及一种显示装置。 背景技术 0002 随着信息化社会发展, 针对用于显示图像的显示装置的需求以多种形式增加。 显 示装置可以是液晶显示装置(Liquid Crystal Display)、 场发射显示装置(Field Emission Display)、 发光显示面板(Light Emitting Displ

    10、ay)等之类的平板显示装置。 发 光显示装置可以包括: 包括有机发光二极管元件作为发光元件的有机发光显示装置; 包括 无机半导体元件作为发光元件的无机发光显示装置; 或者包括超小型发光二极管元件(或 者微型发光二极管元件, micro light emitting diode element)作为发光元件的超小型 发光显示装置(或者微型发光显示装置)。 0003 最近, 开发有包括发光显示装置的头戴型显示器(head mounted display)。 头戴 型显示器(Head Mounted Display, HMD)为用户以眼镜或头盔形式配戴, 在接近眼前的距离 处形成焦点的虚拟现实(Vi

    11、rtual Reality, VR)或增强现实(Augmented Reality, AR)的眼 镜型监视器装置。 0004 在头戴型显示器中适用包括超小型发光二极管元件的高分辨率的超小型发光二 极管显示面板。 由于超小型发光二极管元件发出单一颜色的光, 因此超小型发光二极管显 示面板为了显示多种颜色, 可以包括转换从超小型发光二极管元件发出的光的波长的波长 转换层。 发明内容 0005 本发明要解决的课题是提供一种可以缓解配置于焊盘部的弹性凸起的应力 (stress)的显示装置。 0006 本发明的课题不限于以上提及的课题, 本领域技术人员可以从下面的记载明确地 理解未提及的又另一技术课题。

    12、 0007 用于上述课题解决的根据一实施例的显示装置包括: 基板; 显示焊盘, 配置于所述 基板上, 并界定向厚度方向贯通的贯通孔; 第一凸出图案, 填充所述贯通孔, 并向所述显示 焊盘的上方凸出; 焊盘连接图案, 与所述第一凸出图案重叠, 并与所述显示焊盘电连接; 以 及外部装置, 配置于所述焊盘连接图案上, 并包括与所述焊盘连接图案电连接的连接引线。 0008 可以是, 所述贯通孔提供为多个, 所述第一凸出图案提供为多个, 所述第一凸出图 案各自填充一个所述贯通孔。 0009 可以是, 所述贯通孔包括平面上四边形形状。 0010 可以是, 所述贯通孔提供为多个, 所述第一凸出图案提供为多个

    13、, 多个所述第一凸 出图案中的至少任一个填充多个所述贯通孔。 0011 可以是, 所述贯通孔包括: 第一贯通孔, 具有第一直径; 以及第二贯通孔, 具有大于 所述第一直径的第二直径。 说明书 1/22 页 4 CN 115621296 A 4 0012 可以是, 所述显示装置还包括: 第二凸出图案, 配置于所述显示焊盘上, 并与所述 贯通孔不重叠。 0013 可以是, 所述显示焊盘还界定焊盘凹槽, 所述焊盘凹槽包括从所述显示焊盘的一 面向另一面凹陷的形状, 所述第一凸出图案填充所述焊盘凹槽, 并向所述显示焊盘的上方 凸出。 0014 可以是, 所述显示焊盘包括依次层叠的第一叠层导电层以及第二叠

    14、层导电层, 所 述贯通孔包括: 第一子贯通孔, 由所述第一叠层导电层界定; 以及第二子贯通孔, 由所述第 二叠层导电层界定。 0015 可以是, 所述显示装置还包括: 第一发光区域, 发出第一颜色的光; 第二发光区域, 发出与所述第一颜色不同的第二颜色的光; 发光元件, 配置于所述第一发光区域以及所述 第二发光区域各自, 所述显示焊盘包括: 第一显示焊盘, 与配置于所述第一发光区域的所述 发光元件电连接; 以及第二显示焊盘, 与配置于所述第二发光区域的所述发光元件电连接。 0016 可以是, 所述第一显示焊盘由第一导电层构成, 所述第二显示焊盘由与所述第一 导电层不同的第二导电层构成。 001

    15、7 可以是, 所述显示装置还包括: 第三发光区域, 发出与所述第一颜色以及所述第二 颜色不同的第三颜色的光; 以及发光元件, 配置于所述第三发光区域, 所述显示焊盘还包 括: 第三显示焊盘, 与配置于所述第三发光区域的所述发光元件电连接, 并由与所述第一导 电层以及所述第二导电层不同的第三导电层构成。 0018 可以是, 所述显示装置还包括: 显示区域, 显示画面; 以及非显示区域, 配置于所述 显示区域的周边, 所述第一发光区域以及所述第二发光区域配置于所述显示区域, 所述显 示焊盘配置于所述非显示区域。 0019 可以是, 在所述第一发光区域以及所述第二发光区域各自中配置多个发光元件。 0

    16、020 可以是, 所述发光元件为微型发光二极管(micro light emitting diode)元件。 0021 用于上述课题解决的根据一实施例的显示装置包括: 第一发光区域, 发出第一颜 色的光; 第二发光区域, 发出与所述第一颜色不同的第二颜色的光; 发光元件, 配置于所述 第一发光区域以及所述第二发光区域各自; 以及显示焊盘, 包括: 第一显示焊盘, 与配置于 所述第一发光区域的所述发光元件电连接; 以及第二显示焊盘, 与配置于所述第二发光区 域的所述发光元件电连接, 所述第一显示焊盘以及所述第二显示焊盘各自界定向厚度方向 贯通的至少一个贯通孔, 所述第一显示焊盘由第一导电层构成,

    17、 所述第二显示焊盘由与所 述第一导电层不同的第二导电层构成。 0022 可以是, 所述显示装置还包括: 凸出图案, 填充所述贯通孔, 并向所述显示焊盘的 上方凸出。 0023 可以是, 所述贯通孔提供为多个, 所述凸出图案提供为多个, 所述凸出图案各自填 充一个所述贯通孔。 0024 可以是, 所述显示装置还包括: 焊盘连接图案, 与所述凸出图案重叠, 并与所述显 示焊盘电连接; 以及外部装置, 配置于所述焊盘连接图案上, 并包括与所述焊盘连接图案电 连接的连接引线。 0025 可以是, 在所述第一发光区域以及所述第二发光区域各自中配置多个发光元件。 0026 可以是, 所述发光元件为微型发光

    18、二极管(micro light emitting diode)元件 说明书 2/22 页 5 CN 115621296 A 5 0027 其它实施例的具体事项包括在详细的说明以及附图中。 0028 依据根据一实施例的显示装置, 可以缓解配置于焊盘部的弹性凸起的应力, 并可 以抑制或防止可能在弹性凸起中产生的裂纹(crack)等的缺陷。 0029 根据实施例的效果不限定于以上例示的内容, 更加多样的效果包括在本说明书 中。 附图说明 0030 图1是根据一实施例的显示装置的平面图。 0031 图2是根据一实施例的显示装置的显示基板的电路的示意性配置图。 0032 图3是根据一实施例的显示装置的一

    19、像素的等效电路图。 0033 图4是示意性示出根据一实施例的显示装置的截面图。 0034 图5是示意性示出根据一实施例的第一发光区域的放大图。 0035 图6是示出根据一实施例的发光元件的截面图。 0036 图7是示意性示出根据一实施例的多个发光区域的平面图。 0037 图8是放大图1的A区域的放大图。 0038 图9是示出图8的外部装置分离的状态的图。 0039 图10是放大根据一实施例的显示焊盘的放大图。 0040 图11是沿着图10的XIXI线截取的截面图。 0041 图12是根据另一实施例的显示焊盘的平面图。 0042 图13是根据又另一实施例的显示焊盘的平面图。 0043 图14是根

    20、据又另一实施例的显示焊盘的平面图。 0044 图15是根据又另一实施例的显示焊盘的平面图。 0045 图16是根据又另一实施例的显示焊盘的平面图。 0046 图17是沿着图16的XVIIXVII线截取的截面图。 0047 图18是根据又另一实施例的显示焊盘的截面图。 0048 图19是根据又另一实施例的显示焊盘的截面图。 0049 图20是根据另一实施例的显示装置的一像素的等效电路图。 0050 图21是示出包括根据一实施例的显示装置的虚拟现实装置的示意图。 0051 图22是示出包括根据一实施例的显示装置的智能设备的示意图。 0052 图23是示出包括根据一实施例的显示装置的汽车仪表盘和中控

    21、台的一示意图。 0053 图24是示出包括根据一实施例的显示装置的透明显示装置的一示意图。 0054 (附图标记说明) 0055 10: 显示装置 100: 显示基板 0056 200: 波长转换部 EXD: 外部装置 0057 DIC: 驱动芯片 PAD: 显示焊盘 0058 LD: 连接引线 LE: 发光元件 0059 EP: 凸起图案 HLE: 通孔 0060 PCE: 焊盘连接电极 NCF: 非导电粘合层 说明书 3/22 页 6 CN 115621296 A 6 具体实施方式 0061 若参照与所附的附图一起详细后述的实施例, 则本发明的优点及特征以及实现它 们的方法将变得明确。 但

    22、是, 本发明不限于以下公开的实施例, 将以彼此不同的多种形式实 现, 本实施例仅使得本发明的公开完整, 为了向在本发明所属的技术领域中具有通常知识 的人完整地告知发明的范畴而提供, 本发明仅由权利要求项的范畴来界定。 0062 指称元件(elements)或层在其它元件或层的 “上(on)” 的情况将直接在其它元件 上或在中间介有其它层或其它元件的情况全部包括。 贯穿说明书全文, 相同附图标记指称 相同构成要件。 0063 尽管第一、 第二等为了叙述多种构成要件而使用, 但是当然这些构成要件不受这 些用语限制。 这些用语只是为了将一个构成要件区分于其它构成要件而使用。 因此, 当然以 下提及的

    23、第一构成要件在本公开的技术构思内也可以是第二构成要件。 0064 以下, 以所附的附图作为参考, 针对具体实施例进行说明。 0065 图1是根据一实施例的显示装置的平面图。 0066 参照图1, 根据一实施例的显示装置10可以适用于智能电话、 移动电话、 平板PC(个 人计算机)、 PDA(Personal Digital Assistant; 个人数字助理)、 PMP(Portable Multimedia Player; 便携式多媒体播放器)、 电视、 游戏机、 手表型电子设备、 头戴式显示 器、 个人计算机的显视器、 笔记本计算机、 汽车导航仪、 汽车仪表盘、 数码相机、 摄像机、 外部

    24、 广告牌、 电子屏、 医疗装置、 检查装置、 冰箱和洗衣机等之类的各种家电产品或者物联网装 置。 在本说明书中以电视作为显示装置10的例子进行说明, TV(电视)可以具有HD、 UHD、 4K、 8K等的高分辨率至超高分辨率。 0067 另外, 根据一实施例的显示装置10可以根据显示方式进行各种分类。 例如, 显示装 置10的分类可以包括有机发光显示装置(OLED)、 无机发光显示装置(inorganic EL)、 量子 点发光显示装置(QED)、 微型LED显示装置(microLED)、 纳米LED显示装置(nanoLED)、 等离 子体显示装置(PDP)、 场发射显示装置(FED)、 阴极

    25、射线管(CRT)显示装置、 液晶显示装置 (LCD)、 电泳显示装置(EPD)等。 下面作为显示装置10, 以有机发光显示装置为例进行说明, 除非需要特别区分, 否则简单地将适用于实施例的有机发光显示装置简称为显示装置。 但 是, 实施例不限于有机发光显示装置, 在共享技术构思的范围内也可以适用所述罗列的或 在本技术领域中公知的其它显示装置。 0068 另外, 在下面附图中, 第一方向DR1是指显示装置10的横向方向, 第二方向DR2是指 显示装置10的纵向方向, 第三方向DR3是指显示装置10的厚度方向。 在此情况下,“左” 、 “右” 、“上” 、“下” 表示当在平面上观察显示装置10时的

    26、方向。 例如,“右侧” 表示第一方向DR1 的一侧,“左侧” 表示第一方向DR1的另一侧,“上侧” 表示第二方向DR2的一侧,“下侧” 表示第 二方向DR2的另一侧。 另外,“上方” 是指第三方向DR3的一侧,“下方” 是指第三方向DR3的另 一侧。 0069 根据一实施例的显示装置10可以在平面图上具有正方形形状, 例如可以具有正四 边形形状。 另外, 在显示装置10为电视的情况下, 也可以具有长边位于横向方向的矩形形 状。 但是, 不限于此, 长边可以位于纵向方向, 也可以设置为可旋转而长边向横向或纵向方 向可变地设置。 另外, 显示装置10也可以具有圆形或椭圆形形状。 0070 显示装置

    27、10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。 显示区域DPA可以是实现图 说明书 4/22 页 7 CN 115621296 A 7 像的显示的激活区域。 显示区域DPA可以与显示装置10的整体形状类似地在平面图上具有 正四边形形状, 但是不限于此。 0071 显示区域DPA可以包括多个像素PX。 多个像素PX可以向矩阵方向排列。 各像素PX的 形状可以在平面图上为矩形或正四边形, 但是不限于此, 也可以是各边相对于显示装置10 的一边方向倾斜的菱形形状。 多个像素PX可以包括多个颜色像素PX。 例如, 多个像素PX可以 包括红色的第一颜色像素PX、 绿色的第二颜色像素PX以及蓝色的第三颜色

    28、像素PX, 但是不 限于此。 各颜色像素PX可以以条带型或PenTile型交替排列。 0072 在显示区域DPA的周边可以配置非显示区域NDA。 非显示区域NDA可以全部或部分 地围绕显示区域DPA。 可以是, 显示区域DPA为正四边形形状, 非显示区域NDA配置为与显示 区域DPA的四边相邻。 非显示区域NDA可以构成显示装置10的边框。 0073 在非显示区域NDA可以配置驱动显示区域DPA的驱动电路或驱动元件。 在一实施例 中, 可以是, 在与显示装置10的第一边(在图1中为下边)相邻配置的非显示区域NDA中, 在显 示装置10的显示基板100(参照图4)上设置焊盘部PDA(参照图2),

    29、 在所述焊盘部的焊盘电极 上安装外部装置EXD。 作为所述外部装置EXD的例子, 可以举出连接膜、 印刷电路基板、 连接 器、 布线连接膜等。 0074 驱动芯片DIC可以配置于外部装置EXD上。 驱动芯片DIC可以包括驱动显示装置10 的集成电路。 例如, 驱动芯片DIC可以包括驱动显示装置10的集成电路, 并可以适用薄膜覆 晶(Chip on film, COF)方式, 但是不限于此。 0075 在与显示装置10的第二边(在图1中为左边)相邻配置的非显示区域NDA中可以配 置直接形成于显示装置10的显示基板100(参照图4)上的扫描驱动部SDR等。 0076 图2是根据一实施例的显示装置的

    30、显示基板的电路的示意性配置图。 0077 参照图2, 在基板SUB(参照图5)上配置多个布线。 多个布线可以包括扫描线SCL、 感 测信号线SSL、 数据线DTL、 基准电压线RVL、 第一电源电压线ELVDDL等。 0078 扫描线SCL和感测信号线SSL可以向第一方向DR1延伸。 扫描线SCL和感测信号线 SSL可以连接于扫描驱动部SDR。 扫描驱动部SDR可以包括驱动电路。 扫描驱动部SDR可以配 置于显示基板上的非显示区域NDA的一侧, 但是不限于此, 也可以配置于非显示区域NDA的 两侧全部。 可以是, 扫描驱动部SDR与信号连接布线CWL连接, 信号连接布线CWL的至少一端 部在非

    31、显示区域NDA上形成焊盘WPD_CW而与外部装置(图1的 “EXD” )连接。 0079 数据线DTL和基准电压线RVL可以向与第一方向DR1交叉的第二方向DR2延伸。 第一 电源电压线ELVDDL可以包括向第二方向DR2延伸的部分。 第一电源电压线ELVDDL可以还包 括向第一方向DR1延伸的部分。 第一电源电压线ELVDDL可以具有网格结构, 但是不限于此。 0080 在数据线DTL、 基准电压线RVL和第一电源电压线ELVDDL的至少一端部可以配置布 线焊盘WPD。 各布线焊盘WPD可以配置于非显示区域NDA的焊盘部PDA。 在一实施例中, 数据线 DTL的布线焊盘WPD_DT(以下,

    32、称为 “数据焊盘” )、 基准电压线RVL的布线焊盘WPD_RV(以下, 称为 “基准电压焊盘” )和第一电源电压线ELVDDL的布线焊盘WPD_ELVD(以下, 称为 “第一电 源焊盘” )可以配置于非显示区域NDA的焊盘部PDA。 作为另一例, 数据焊盘WPD_DT、 基准电压 焊盘WPD_RV和第一电源焊盘WPD_ELVD也可以配置于其它非显示区域NDA。 在布线焊盘WPD上 可以如上所述地安装外部装置(图1的 “EXD” )。 外部装置EXD可以通过各向异性导电膜、 超声 波接合等安装于布线焊盘WPD上。 说明书 5/22 页 8 CN 115621296 A 8 0081 显示基板上

    33、的各像素PX包括像素驱动电路。 上述的布线可以在经过各像素PX或其 周围时将驱动信号施加于各像素驱动电路。 像素驱动电路可以包括晶体管和电容器。 各像 素驱动电路的晶体管和电容器的数量可以进行各种变形。 以下, 以像素驱动电路包括三个 晶体管和一个电容器的3T1C结构为例, 针对像素驱动电路进行说明, 但是不限于此, 也可以 适用2T1C结构、 7T1C结构、 6T1C结构等其它各种变形像素PX结构。 0082 图3是根据一实施例的显示装置的一像素的等效电路图。 0083 参照图3, 根据一实施例的显示装置的各像素PX除了发光元件LE之外, 包括三个晶 体管DTR、 STR1、 STR2和一个

    34、保持电容器CST。 0084 发光元件LE根据通过驱动晶体管DTR供应的电流发光。 发光元件LE可以由无机发 光二极管(inorganic light emitting diode)、 有机发光二极管(organic light emitting diode)、 微型发光二极管、 纳米发光二极管等实现。 0085 可以是, 发光元件LE的第一电极(即, 阳极电极)连接于驱动晶体管DTR的源极电 极, 第二电极(即, 阴极电极)连接于被供应低于第一电源电压线ELVDDL的高电位电压(第一 电源电压)的低电位电压(第二电源电压)的第二电源电压线ELVSSL。 0086 驱动晶体管DTR根据栅极电极

    35、与源极电极的电压差调整从被供应第一电源电压的 第一电源电压线ELVDDL向发光元件LE流动的电流。 可以是, 驱动晶体管DTR的栅极电极连接 于第一开关晶体管STR1的第一源极/漏极电极, 源极电极连接于发光元件LE的第一电极, 漏 极电极连接于被施加第一电源电压的第一电源电压线ELVDDL。 0087 第一开关晶体管STR1通过扫描线SCL的扫描信号导通而使数据线DTL连接于驱动 晶体管DTR的栅极电极。 可以是, 第一开关晶体管STR1的栅极电极连接于扫描线SCL, 第一源 极/漏极电极连接于驱动晶体管DTR的栅极电极, 第二源极/漏极电极连接于数据线DTL。 0088 第二开关晶体管ST

    36、R2通过感测信号线SSL的感测信号导通而使基准电压线RVL连 接于驱动晶体管DTR的源极电极。 可以是, 第二开关晶体管STR2的栅极电极连接于感测信号 线SSL, 第一源极/漏极电极连接于基准电压线RVL, 第二源极/漏极电极连接于驱动晶体管 DTR的源极电极。 0089 在一实施例中, 可以是, 第一以及第二开关晶体管STR1、 STR2各自的第一源极/漏 极电极为源极电极, 第二源极/漏极电极为漏极电极, 但是不限于此, 也可以是其相反的情 况。 0090 保持电容器CST形成于驱动晶体管DTR的栅极电极和源极电极之间。 保持电容器 CST存储驱动晶体管DTR的栅极电压与源极电压的电压差

    37、。 0091 驱动晶体管DTR和第一以及第二开关晶体管STR1、 STR2可以由薄膜晶体管(thin film transistor)形成。 另外, 在图3中, 以驱动晶体管DTR和第一以及第二开关晶体管 STR1、 STR2为N型MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; 金属氧 化物半导体场效应晶体管)为中心进行了说明, 但是不限于此。 即, 也可以是, 驱动晶体管 DTR和第一以及第二开关晶体管STR1、 STR2为P型MOSFET, 或者一部分为N型MOSFET, 另一部 分为P型MOSFET。 0092 图4是示

    38、意性示出根据一实施例的显示装置的截面图。 图5是示意性示出根据一实 施例的第一发光区域的放大图。 图6是示出根据一实施例的发光元件的截面图。 图7是示意 性示出根据一实施例的多个发光区域的平面图。 说明书 6/22 页 9 CN 115621296 A 9 0093 参照图4至图7, 显示装置10可以包括显示基板100以及配置于显示基板100上的波 长转换部200。 显示基板100可以包括电路驱动部DRL以及配置于电路驱动部DRL上的发光元 件部LEP。 0094 电路驱动部DRL可以包括基板SUB、 缓冲层BF、 半导体层110、 第一绝缘层(第一无机 绝缘层)121、 第一导电层130、

    39、第二绝缘层(第二无机绝缘层)122、 第二导电层140、 第三绝缘 层(第三无机绝缘层)123、 第三导电层150、 第四绝缘层(第一有机绝缘层)124、 第四导电层 160、 第五绝缘层(第二有机绝缘层)125、 第五导电层170以及第六绝缘层(第三有机绝缘层) 126。 另外, 发光元件部LEP可以包括像素电极ANO、 像素界定膜PDL、 发光元件LE、 平坦化层 PLL以及公共电极CAT。 各层可以按照上述的顺序依次层叠。 同时, 各层可以构成为单膜, 但 是也可以构成为包括多个膜的叠层膜, 在各层之间也可以还配置其它层。 0095 基板SUB支撑配置于其之上的各层。 在有机发光显示装置

    40、为底面或两面发光型的 情况下, 可以使用透明的基板。 在有机发光显示装置为前面发光型的情况下, 也可以不仅适 用透明的基板, 而且适用半透明或不透明的基板。 0096 基板SUB可以是刚性(rigid)基板或可弯曲(bending)、 可折叠(folding)、 可卷曲 (rolling)等的柔性(flexible)基板。 作为构成柔性基板的物质的例子, 可以举出聚酰亚胺 (PI), 但是不限于此。 0097 缓冲层BF可以配置于基板SUB上。 缓冲层BF可以防止杂质离子扩散, 防止水分或外 部空气的渗透, 并执行表面平坦化功能。 缓冲层BF可以包含氮化硅, 但是不限于此, 也可以 包含氧化硅

    41、或氮氧化硅等。 缓冲层BF也可以根据基板SUB的种类或工艺条件等而省略。 0098 半导体层110配置于缓冲层BF上。 半导体层110构成像素的薄膜晶体管的沟道。 半 导体层110可以包含多晶硅。 但是, 不限于此, 半导体层110也可以包含单晶硅、 低温多晶硅、 非晶硅或氧化物半导体。 所述氧化物半导体可以包括例如含有铟(In)、 锌(Zn)、 镓(Ga)、 锡 (Sn)、 钛(Ti)、 铝(Al)、 铪(Hf)、 锆(Zr)、 镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、 三元化合物(ABxCy)、 四元化合物(ABxCyDz)。 0099 第一绝缘层121配置于半导体层110上。 第一绝缘层12

    42、1可以是具有栅极绝缘功能 的第一栅极绝缘膜。 第一绝缘层121可以包含无机绝缘物质。 第一绝缘层121可以包含硅化 合物、 金属氧化物等。 例如, 第一绝缘层121可以包含氧化硅、 氮化硅、 氮氧化硅、 氧化铝、 氧 化钽、 氧化铪、 氧化锆、 氧化钛等。 0100 第一导电层130配置于第一绝缘层121上。 第一导电层130可以包括像素的薄膜晶 体管的栅极电极GAT和连接于其的扫描线以及保持电容器CST的第一电极CE1。 0101 第一导电层130可以包含选自钼(Mo)、 铝(Al)、 铂(Pt)、 钯(Pd)、 银(Ag)、 镁(Mg)、 金 (Au)、 镍(Ni)、 钕(Nd)、 铱(I

    43、r)、 铬(Cr)、 钙(Ca)、 钛(Ti)、 钽(Ta)、 钨(W)、 铜(Cu)的一种以上 的金属。 0102 第二绝缘层122可以配置于第一导电层130上。 第二绝缘层122可以是层间绝缘膜 或第二栅极绝缘膜。 第二绝缘层122可以包含无机绝缘物质。 第二绝缘层122可以包含与第 一绝缘层121相同的物质, 但是不限于此。 0103 第二导电层140配置于第二绝缘层122上。 第二导电层140可以包括保持电容器CST 的第二电极CE2。 第二导电层140可以由与第一导电层130相同的物质构成, 但是不限于此。 0104 第三绝缘层123配置于第二导电层140上。 第三绝缘层123可以是

    44、层间绝缘膜。 第三 说明书 7/22 页 10 CN 115621296 A 10 绝缘层123可以包含无机绝缘物质。 第三绝缘层123可以包含与第一绝缘层121相同的物质, 但是不限于此。 0105 第三导电层150配置于第三绝缘层123上。 第三导电层150可以包括像素的薄膜晶 体管的第一电极SD1和第二电极SD2。 薄膜晶体管的第一电极SD1和第二电极SD2可以通过贯 通第三绝缘层123、 第二绝缘层122以及第一绝缘层121的接触孔与半导体层110的源极区域 以及漏极区域电连接。 像素的第一电源电压线ELVDDL也可以由第三导电层150构成。 第一电 源电压线ELVDDL可以通过贯通第

    45、三绝缘层123的接触孔与保持电容器CST的第二电极CE2电 连接。 0106 第三导电层150可以包含选自铝(Al)、 钼(Mo)、 铂(Pt)、 钯(Pd)、 银(Ag)、 镁(Mg)、 金 (Au)、 镍(Ni)、 钕(Nd)、 铱(Ir)、 铬(Cr)、 钙(Ca)、 钛(Ti)、 钽(Ta)、 钨(W)、 铜(Cu)的一种以上 的金属。 第三导电层150可以包括多个叠层结构。 例如, 第三导电层150可以形成为Ti/Al/ Ti、 Mo/Al/Mo、 Mo/AlGe/Mo、 Ti/Cu等的叠层结构。 0107 第四绝缘层124配置于第三导电层150上。 第四绝缘层124覆盖第三导电层1

    46、50。 第 四绝缘层124可以是过孔层。 第四绝缘层124可以包含有机绝缘物质。 例如, 第四绝缘层124 可以包含丙烯酸类树脂(acrylates resin)、 环氧树脂(epoxy resin)、 酚醛树脂(phenolic resin)、 聚酰胺类树脂(polyamides resin)、 聚酰亚胺类树脂(polyimides rein)、 不饱和 聚酯类树脂(unsaturated polyesters resin)、 聚苯醚类树脂(poly phenylenethers resin) 、 聚苯硫醚类树脂 (polyphenylenesulfides resin)或苯并环丁烯 (be

    47、nzocyclobutene, BCB)等。 0108 第四导电层160配置于第四绝缘层124上。 第四导电层160可以包括第一阳极连接 电极CNE1。 第一阳极连接电极CNE1可以通过贯通第四绝缘层124的接触孔与薄膜晶体管的 第二电极SD2电连接。 通过第一阳极连接电极CNE1和第二阳极连接电极CNE2, 像素电极ANO 与薄膜晶体管的第二电极SD2可以电连接。 第四导电层160可以包含与第三导电层150相同 的物质, 或者包括相同的叠层结构, 但是不限于此。 0109 第五绝缘层125配置于第四导电层160上。 第五绝缘层125覆盖第四导电层160。 第 五绝缘层125可以是过孔层。 第

    48、五绝缘层125可以包含有机绝缘物质。 第五绝缘层125可以包 含与第四绝缘层124相同的物质, 但是不限于此。 0110 第五导电层170配置于第五绝缘层125上。 第五导电层170可以包括第二阳极连接 电极CNE2。 第五导电层170可以还包括第二电源电压线ELVSSL(参照图3)。 第二阳极连接电 极CNE2可以通过贯通第五绝缘层125的接触孔与第一阳极连接电极CNE1电连接。 第五导电 层170可以包含与第三导电层150相同的物质, 或者包括相同的叠层结构, 但是不限于此。 0111 第六绝缘层126配置于第五导电层170上。 第六绝缘层126覆盖第五导电层170。 第 六绝缘层126可

    49、以是过孔层。 第六绝缘层126可以包含有机绝缘物质。 第六绝缘层126可以包 含与第四绝缘层124相同的物质, 但是不限于此。 0112 像素电极ANO配置于第六绝缘层126上。 像素电极ANO可以是设置于每个像素的像 素电极。 像素电极ANO可以通过贯通第六绝缘层126的接触孔与第二阳极连接电极CNE2连 接。 像素电极ANO可以与像素的发光区域EA至少部分地重叠。 0113 像素电极ANO可以具有氧化铟锡(IndiumTinOxide: ITO)、 氧化铟锌(Indium ZincOxide: IZO)、 氧化锌(Zinc Oxide: ZnO)、 氧化铟(Induim Oxide: In

    50、2O3)等之类的功函 说明书 8/22 页 11 CN 115621296 A 11 数高的物质层和银(Ag)、 镁(Mg)、 铝(Al)、 铂(Pt)、 铅(Pb)、 钯(Pd)、 金(Au)、 镍(Ni)、 钕(Nd)、 铱(Ir)、 铬(Cr)、 锂(Li)、 钙(Ca)或它们的混合物等之类的反射性物质层层叠的叠层膜结 构, 但是不限于此。 功函数高的物质层可以比反射性物质层配置于上层而配置为与发光元 件LE接近。 像素电极ANO可以具有ITO/Mg、 ITO/MgF2、 ITO/Ag、 ITO/Ag/ITO、 Cu/Ti等的多层结 构, 但是不限于此。 0114 在像素电极ANO包括C


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