垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器.pdf



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1、(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202310360142.8(22)申请日 2023.04.06(71)申请人 太锐芯科技(青岛)有限公司地址 266100 山东省青岛市崂山区松岭路169号国际创新园B座12楼B2-1房间(72)发明人 温良恭孙统白中扬李昭颖(74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002专利代理师 孟紫琴(51)Int.Cl.H01S 5/183(2006.01)H01S 5/00(2006.01)H01P 1/20(2006.01)(54)发明名称垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器。
2、(57)摘要本发明涉及太赫兹技术领域,尤其涉及一种垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器。垂直腔面太赫兹发射器包括:垂直腔面发射激光器本体;自旋太赫兹波产生结构,自旋太赫兹波产生结构设于垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方,用于基于垂直腔面发射激光器本体发射的激光产生自旋太赫兹波;以及调制结构,调制结构设于垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方,用于调制自旋太赫兹波产生结构产生的自旋太赫兹波。本发明通过自旋太赫兹波产生结构、调制结构和垂直腔面发射激光器本体的同片集成,并通过调制结构对自旋太赫兹波产生结构产生的自旋太赫兹波进行调制。本发明实现辐射自旋太赫兹波并进行调制。权利要求书2。
3、页 说明书7页 附图3页CN 116505374 A2023.07.28CN 116505374 A1.一种垂直腔面太赫兹发射器,其特征在于,包括:垂直腔面发射激光器本体;自旋太赫兹波产生结构,所述自旋太赫兹波产生结构设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方,用于基于所述垂直腔面发射激光器本体发射的激光产生自旋太赫兹波;以及调制结构,所述调制结构设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方,用于调制所述自旋太赫兹波产生结构产生的所述自旋太赫兹波。2.根据权利要求1所述的垂直腔面太赫兹发射器,其特征在于,所述自旋太赫兹波产生结构包括:第一材质层,覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体的激。
4、光发射表面的上方,用于基于所述垂直腔面发射激光器本体发射的激光产生自旋电流;以及第二材质层,覆盖设于所述第一材质层的上方,用于基于所述自旋电流产生所述自旋太赫兹波;所述第一材质层的材质与所述第二材质层的材质不同;所述调制结构包括设于所述第二材质层的上方,且间隔排列设置的多个第三材质层。3.根据权利要求2所述的垂直腔面太赫兹发射器,其特征在于,所述多个第三材质层在所述第二材质层的上方均匀间隔排列设置。4.根据权利要求1所述的垂直腔面太赫兹发射器,其特征在于,所述调制结构包括覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方,且间隔排列设置的多个第四材质层;所述多个第四材质层中的任一所述第四材。
5、质层上方覆盖设有至少一个第一复合材质层;所述第一复合材质层包括:第五材质层,覆盖设于所述第四材质层的上方,用于基于所述垂直腔面发射激光器本体发射的激光产生自旋电流;以及第六材质层,覆盖设于所述第五材质层的上方,用于基于所述自旋电流产生所述自旋太赫兹波;所述第五材质层的材质与所述第六材质层的材质不同。5.根据权利要求4所述的垂直腔面太赫兹发射器,其特征在于,多个第四材质层在所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方均匀间隔排列设置。6.根据权利要求1所述的垂直腔面太赫兹发射器,其特征在于,所述自旋太赫兹波产生结构包括覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方,且间隔排列设置的多个。
6、第二复合材质层;任一所述第二复合材质层包括:第七材质层,覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方,用于基于所述垂直腔面发射激光器本体发射的激光产生自旋电流;以及第八材质层,覆盖设于所述第七材质层的上方,用于基于所述自旋电流产生所述自旋太赫兹波;所述第七材质层的材质与所述第八材质层的材质不同;所述间隔排列设置的多个第二权利要求书1/2 页2CN 116505374 A2复合材质层形成所述调制结构。7.根据权利要求6所述的垂直腔面太赫兹发射器,其特征在于,所述多个第二复合材质层在所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方均匀间隔排列设置。8.一种射频器,其特征在于,包括权利要求1。
7、至7任一项所述的垂直腔面太赫兹发射器。9.一种滤波器,其特征在于,包括权利要求1至7任一项所述的垂直腔面太赫兹发射器。10.一种调制器,其特征在于,包括权利要求1至7任一项所述的垂直腔面太赫兹发射器。权利要求书2/2 页3CN 116505374 A3垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器技术领域0001本发明涉及太赫兹技术领域,尤其涉及一种垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器。背景技术0002垂直腔面发射激光器(英文全称Vertical Cavity Surface Emitting Laser,英文简称VCSEL,中文简称面射型激光器)。它以砷化镓半导体材料为基础研制,是。
8、一种半导体激光器。其激光垂直于顶面射出,与激光由边缘射出的边射型激光有所不同。因此相较于边射型激光器,VCSEL激光器具有低阈值电流、稳定单波长工作、可高频调制、容易二维集成、没有腔面阈值损伤等优点,在半导体激光器中占有很重要的地位。0003自旋太赫兹是自旋电子学与太赫兹的交叉学科,飞秒激光的发展使其常用来探测磁性材料微观系统发生快速变化时的自旋动力学现象,进而形成了超快自旋电子学。超快自旋电子学促进了太赫兹领域的发展,尤其是在太赫兹发射方面。自旋太赫兹发射源辐射出的频率在130THz范围,没有任何光谱间隙,它几乎可以由任意波长的激光驱动,这与基于半导体材料的太赫兹源形成了鲜明的对比,且自旋太。
9、赫兹源稳定性高、损伤阈值高、可以大面积制备并方便进行微结构加工。0004目前已存在超表面集成垂直腔面发射激光器,用于可编程定向激光发射,但是还未存在利用VCESL实现自旋太赫兹波可编程的自旋太赫兹发射调制器件。发明内容0005本发明提供一种垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器,用以解决现有技术中未存在利用VCESL实现自旋太赫兹波发射,可编程的自旋太赫兹发射调制器件的缺陷。0006本发明提供一种垂直腔面太赫兹发射器,包括:0007垂直腔面发射激光器本体;0008自旋太赫兹波产生结构,所述自旋太赫兹波产生结构设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方,用于基于所述垂直腔面发射激光。
10、器本体发射的激光产生自旋太赫兹波;以及0009调制结构,所述调制结构设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方,用于调制所述自旋太赫兹波产生结构产生的所述自旋太赫兹波。0010根据本发明提供的一种垂直腔面太赫兹发射器,所述自旋太赫兹波产生结构包括:0011第一材质层,覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方,用于基于所述垂直腔面发射激光器本体发射的激光产生自旋电流;以及0012第二材质层,覆盖设于所述第一材质层的上方,用于基于所述自旋电流产生所述自旋太赫兹波;说明书1/7 页4CN 116505374 A40013所述第一材质层的材质与所述第二材质层的材质不同;0014所述。
11、调制结构包括设于所述第二材质层的上方,且间隔排列设置的多个第三材质层。0015根据本发明提供的一种垂直腔面太赫兹发射器,所述多个第三材质层在所述第二材质层的上方均匀间隔排列设置。0016根据本发明提供的一种垂直腔面太赫兹发射器,所述调制结构包括覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方,且间隔排列设置的多个第四材质层;0017所述调制结构包括覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方,且间隔排列设置的多个第四材质层;0018所述多个第四材质层中的任一所述第四材质层上方覆盖设有至少一个第一复合材质层;0019所述第一复合材质层包括:0020第五材质层,覆盖设于所述第四材质。
12、层的上方,用于基于所述垂直腔面发射激光器本体发射的激光产生自旋电流;以及0021第六材质层,覆盖设于所述第五材质层的上方,用于基于所述自旋电流产生所述自旋太赫兹波;0022所述第五材质层的材质与所述第六材质层的材质不同。0023根据本发明提供的一种垂直腔面太赫兹发射器,多个第四材质层在所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方均匀间隔排列设置。0024根据本发明提供的一种垂直腔面太赫兹发射器,所述自旋太赫兹波产生结构包括覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方,且间隔排列设置的多个第二复合材质层;0025任一所述第二复合材质层包括:0026第七材质层,覆盖设于所述垂直腔面发射。
13、激光器本体的激光发射表面的上方,用于基于所述垂直腔面发射激光器本体发射的激光产生自旋电流;以及0027第八材质层,覆盖设于所述第七材质层的上方,用于基于所述自旋电流产生所述自旋太赫兹波;0028所述第七材质层的材质与所述第八材质层的材质不同;所述间隔排列设置的多个第二复合材质层形成所述调制结构。0029根据本发明提供的一种垂直腔面太赫兹发射器,所述多个第二复合材质层在所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面的上方均匀间隔排列设置。0030本发明还提供一种射频器,包括所述的垂直腔面太赫兹发射器。0031本发明还提供一种滤波器,包括所述的垂直腔面太赫兹发射器。0032本发明还提供一种调制器,包括所。
14、述的垂直腔面太赫兹发射器。0033本发明提供的垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器,通过设置自旋太赫兹波产生结构设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方,以及通过设置调制结构设于所述垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方。从而通过自旋太赫兹波产生结构、调制结构和垂直腔面发射激光器本体的同片集成,并通过调制结构对自旋太赫兹波产生结构产生的自旋太赫兹波进行调制,本发明实现辐射自旋太赫兹波并进行调制。说明书2/7 页5CN 116505374 A5附图说明0034为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地。
15、,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。0035图1是本发明提供的垂直腔面太赫兹发射器的结构示意图之一;0036图2是本发明提供的垂直腔面太赫兹发射器的结构示意图之二;0037图3是本发明提供的垂直腔面太赫兹发射器的结构示意图之三;0038图4是本发明提供的垂直腔面太赫兹发射器的结构示意图之四;0039图5是本发明的一个实施例提供的垂直腔面太赫兹发射器制备的流程示意图。具体实施方式0040为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所。
16、描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。0041下面结合图1图4描述本发明的垂直腔面太赫兹发射器100。请参照图1,本发明提供一种垂直腔面太赫兹发射器100,包括:垂直腔面发射激光器本体10、自旋太赫兹波产生结构20以及调制结构30。0042其中,垂直腔面发射激光器本体10可使用现有的激光垂直于顶面射出的垂直腔面发射激光器的结构。例如请参照图2,垂直腔面发射激光器本体10可包括由下至上依次设置的P型金属电极、下层布拉格反射镜(英文全称distributed Bragg。
17、 reflection,简称DBR)、氧化层孔隙、上层布拉格反射镜、GaAs衬底以及N型金属电极。0043需要说明的是,垂直腔面发射激光器本体10发射的激光,从顶层P型金属电极与GaAs衬底之间形成的凹型结构垂直射出。即垂直腔面发射激光器本体10的顶层P型金属电极与GaAs衬底之间形成的凹型结构的底面,作为垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面。对于垂直腔面发射激光器本体10产生的激光,波长在780nm1600nm效果较好。0044自旋太赫兹波产生结构20,所述自旋太赫兹波产生结构20设于所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面上方,用于基于所述垂直腔面发射激光器本体10发射的激光产生自。
18、旋太赫兹波。自旋太赫兹波产生结构20可采用形似薄膜的结构。自旋太赫兹波产生结构20可采用两种不同材质的结构通过面接触的方式连接。0045调制结构30,所述调制结构30设于所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面上方,用于调制所述自旋太赫兹波产生结构20产生的所述自旋太赫兹波。0046由于垂直腔面发射激光器本体10可以激发出波长在940nm、980nm等的激光脉冲。当激光脉冲照射到自旋太赫兹波产生结构20时,会产生自旋太赫兹波发射源。随后,自旋太赫兹波产生结构20产生的自旋太赫兹波通过调制结构30进行调制,实现对自旋太赫兹波发射调制的一体化。0047自旋太赫兹波可用于通信,物联网,传感,生物。
19、检测,安检等领域。垂直腔面发射激光器本体10产生的激光,透过自旋太赫兹波产生结构20可以产生太赫兹波,通过调制结构说明书3/7 页6CN 116505374 A630调节相应的参数实现理想的输出。本发明实施例的垂直腔面太赫兹发射器100具有集成度高,体积小,成本便宜,兼容性好,能够大规模商用的优点。0048本发明通过设置自旋太赫兹波产生结构20设于所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面上方,以及通过设置调制结构30设于所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面上方。从而通过自旋太赫兹波产生结构20、调制结构30和垂直腔面发射激光器本体10的同片集成,并通过调制结构30对自旋太赫兹波产生。
20、结构20产生的自旋太赫兹波进行调制,本发明实现辐射自旋太赫兹波并进行调制0049在本发明实施例的其他方面,请参照图2,所述自旋太赫兹波产生结构20包括:第一材质层21以及第二材质层22。0050第一材质层21覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面的上方,用于基于所述垂直腔面发射激光器本体10发射的激光产生自旋流。第二材质层22,覆盖设于所述第一材质层21的上方,用于基于所述自旋流注入后,导致超快电荷流,进而产生所述自旋太赫兹波。所述第一材质层21的材质与所述第二材质层22的材质不同。0051其中,第一材质层21与第二材质层22可采用各种能够实现产生自旋太赫兹波的异质结构组合。例如。
21、第一材质层21与第二材质层22可采用FM/NM(英文全称为Ferromagnetic/Nonmagnetic,译为铁磁/非磁),如(W/CoFeB(钨/钴铁硼)、拓扑绝缘体/NM(非磁)、拓扑绝缘体/FM(铁磁)、拓扑绝缘体、二维材料(例如Bi2Te3、Fe3GeTe2,即碲化铋/铁锗碲)等。在其他实施例中,自旋太赫兹波产生结构20还可以采用三层结构,例如NM/FM/NM(非磁/铁磁/非磁)、W/CoFeB/Pt(钨/钴铁硼/铂)等。0052所述调制结构30包括设于所述第二材质层22的上方,且间隔排列设置的多个第三材质层31。具体的,第三材质层31可使用介质、金属(金、银等)、磁性材料(钴、镍。
22、)等。需要说明的是,在其他的实施例中,多个第三材质层31不限于间隔排列设置的结构,可使用其他对自旋太赫兹波进行调制的结构。0053在一个实施例中,以第一材质层21与第二材质层22是铁磁/非铁磁(FM/NM),第三材质层31是金属铁为例,说明本发明的垂直腔面太赫兹发射器100对辐射的自旋太赫兹波进行调制的过程。0054本发明的垂直腔面太赫兹发射器100对辐射的自旋太赫兹波进行调制的过程如下:00551、利用垂直腔面发射激光器本体10产生激光照射铁磁/非铁磁(FM/NM)的金属纳米薄膜异质结构,激发铁磁层中自旋向上和自旋向下的非平衡载流子;2、非平衡载流子向相邻的非磁层扩展,由于自旋向上和自旋向下。
23、的载流子运动速度相差较大,因此形成超快的自旋流从铁磁层(第一材质层21)进入非磁层(第二材质层22);3、由于自旋轨道耦合作用导致逆自旋霍尔响应,进入非磁层的超快子漩流转合成瞬态电荷流;4、瞬态电荷流时间尺度为亚皮秒量级,从而向外辐射自旋太赫兹脉冲。5、自旋太赫兹受到调制结构30的多个第三材质层31的耦合,从而实现对辐射自旋太赫兹波的调制过程。0056本发明的调制结构30、自旋太赫兹波产生结构20与垂直腔面发射激光器本体10的单片集成能够高效地对自旋太赫兹波的辐射波形进行任意控制,实现自准直,贝塞尔和涡旋等目标。从而通过自旋太赫兹波产生结构20、调制结构30和垂直腔面发射激光器本体10的同片集。
24、成,并通过调制结构30对自旋太赫兹波产生结构20产生的自旋太赫兹波进行调说明书4/7 页7CN 116505374 A7制,本发明实现辐射自旋太赫兹波并进行调制0057进一步的,为了实现对辐射的自旋太赫兹波更精细的调制(波束整形),所述多个第三材质层31在所述第二材质层22的上方均匀间隔排列设置。从而自旋太赫兹波产生结构20产生的自旋太赫兹波,经过在所述第二材质层22的上方均匀间隔排列设置的多个第三材质层31,通过调制结构30对太赫兹波的物理特性进行调节,实现对辐射的自旋太赫兹波更精细的调制。0058在本发明实施例的其他方面,请参照图3,所述调制结构30包括覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体1。
25、0的激光发射表面的上方,且间隔排列设置的多个第四材质层32。具体的,第四材质层32可使用介质、金属(例如金、银)、磁性材料(例如钴、镍)等。需要说明的是,在其他的实施例中,多个第四材质层32不限于间隔排列设置的结构,可使用其他对自旋太赫兹波进行调制的结构。0059所述多个第四材质层32中的任一所述第四材质层32上方覆盖设有至少一个所述第一复合材质层23。具体的,在一个实施例中,所述自旋太赫兹波产生结构20包括与所述多个第四材质层32数量相同的多个第一复合材质层23。即每个第四材质层32的上方对应设置有一个第一复合材质层23。0060任一所述第一复合材质层23包括:第五材质层231和第六材质层2。
26、32。第五材质层231覆盖设于所述第四材质层32的上方;以及第六材质层232覆盖设于所述第五材质层231的上方;所述第五材质层231的材质与所述第六材质层232的材质不同。具体的,第五材质层231和第六材质层232可采用各种能够实现产生自旋太赫兹波的异质结构组合。例如第五材质层231和第六材质层232可采用FM/NM(英文全称为Ferromagnetic/Nonmagnetic,译为铁磁/非磁)、(如W/CoFeB(钨/钴铁硼);拓扑绝缘体/NM(非磁);拓扑绝缘体/FM(铁磁)、拓扑绝缘体和二维材料(例如Bi2Te3、Fe3GeTe2,即碲化铋、铁锗碲)等。在其他实施例中,自旋太赫兹波产生结。
27、构20还可以采用三层结构,例如NM/FM/NM(非磁/铁磁/非磁)、W/CoFeB/Pt(钨/钴铁硼/铂)等。0061与上述图2中的垂直腔面发射激光体10的激光先经过自旋太赫兹波产生结构20产生自旋太赫兹波,再通过调制结构30对自旋太赫兹波进行波形整形的过程相反,在本发明实施例中,垂直腔面发射激光器本体10的激光先经过多个第四材质层32的调制结构30以实现波束整形后,再辐射到多个第一复合材质层23的自旋太赫兹波产生结构20中,产生自旋太赫兹波。0062从而通过自旋太赫兹波产生结构20、调制结构30和垂直腔面发射激光器本体10的同片集成,并通过调制结构30对自旋太赫兹波产生结构20产生的自旋太赫。
28、兹波进行调制,本发明实现辐射自旋太赫兹波并进行调制。0063进一步的,多个第四材质层32在所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面的上方均匀间隔排列设置。为了实现对辐射的自旋太赫兹波更精细的调制(波束整形),所述多个第四材质层32在垂直腔面发射激光器本体10的上方均匀间隔排列设置。从而自旋太赫兹波产生结构20产生的自旋太赫兹波,经过在垂直腔面发射激光器本体10的上方均匀间隔排列设置的多个第四材质层32,产生多个间距相同的自旋太赫兹波,实现对辐射的自旋太赫兹波更精细的调制。0064在本发明实施例的其他方面,请参照图4,所述自旋太赫兹波产生结构20包括覆盖说明书5/7 页8CN 1165053。
29、74 A8设于所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面的上方,且间隔排列设置的多个第二复合材质层24。0065任一所述第二复合材质层24包括:第七材质层241和第八材质层242。第七材质层241覆盖设于所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面的上方;第八材质层242,覆盖设于所述第七材质层241的上方;所述第七材质层241的材质与所述第八材质层242的材质不同;所述间隔排列设置的多个第二复合材质层24形成所述调制结构30。0066其中,第七材质层241和第八材质层242可采用各种能够实现产生自旋太赫兹波的异质结构组合。例如第七材质层241和第八材质层242可采用FM/NM(英文全称为F。
30、erromagnetic/Nonmagnetic,译为铁磁/非磁),如(W/CoFeB(钨/钴铁硼)、拓扑绝缘体/NM(非磁)、拓扑绝缘体/FM(铁磁)、拓扑绝缘体、二维材料(例如Bi2Te3、Fe3GeTe2,即碲化铋/铁锗碲)等。在其他实施例中,自旋太赫兹波产生结构20还可以采用三层结构,例如NM/FM/NM(非磁/铁磁/非磁)、W/CoFeB/Pt(钨/钴铁硼/铂)等。0067本发明实施例中,通过将多个第二复合材质层24设置成间隔排列设置的形式,从而间隔排列设置的多个第二复合材质层24形成所述调制结构30。垂直腔面发射激光器本体10的激光先经过多个第二复合材质层24产生自旋太赫兹波,由于。
31、多个第二复合材质层24采取间隔排列设置的方式设置,实现对自旋太赫兹波进行波束整形。从而本发明实施例通过将多个第二复合材质层24设置成间隔排列设置的形式,多个第二复合材质层24实现了产生自旋太赫兹波和对自旋太赫兹波进行调制的双重效果。0068通过将自旋太赫兹波产生结构20基于间隔排列设置的多个第二复合材质层24进行图案化设置,本发明实施例在简化结构,降低成本的情况下实现对辐射的自旋太赫兹波进行调制。0069进一步的,为了实现对辐射的自旋太赫兹波更精细的调制(波束整形),所述多个第二复合材质层24在所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面的上方均匀间隔排列设置。从而自旋太赫兹波产生结构20产生。
32、的自旋太赫兹波,经过在所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面的上方均匀间隔排列设置的多个第二复合材质层24,实现对辐射的自旋太赫兹波更精细的调制。0070下面介绍在一个实施例中,图2、图3以及图4的垂直腔面太赫兹发射器100的制备过程。0071请参照图5,一个实施例中的图2、图3以及图4的垂直腔面太赫兹发射器100的制备过程如下:0072a、获取激光结构片;b、在激光结构片上形成氧化硅掩膜;c、进干法刻蚀;d、进行湿法腐蚀掩膜;e、进行孔径氧化;f、进行氧化层沉积;g、旋涂苯并环丁烯(英文全称Benzocyclobutene,简称BCB);h、刻蚀苯并环丁烯;i、形成氧化硅钝化层开口;j。
33、、制备P型电极;k、制备N型电极;l、溅射形成如图2、图3以及图4的垂直腔面太赫兹发射器100中任一种的自旋太赫兹波产生结构20;m、形成如图2、图3以及图4的垂直腔面太赫兹发射器100中任一种的调制结构30。0073本发明实施例通过设置自旋太赫兹波产生结构20设于所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面上方,以及通过设置调制结构30设于所述垂直腔面发射激光器本体10的激光发射表面上方。从而通过自旋太赫兹波产生结构20、调制结构30和垂直腔面发射说明书6/7 页9CN 116505374 A9激光器本体10的同片集成,并通过调制结构30对自旋太赫兹波产生结构20产生的自旋太赫兹波进行调制,。
34、本发明实现对辐射的自旋太赫兹波进行调制。0074本发明还提供一种射频器(未图示),包括上述的垂直腔面太赫兹发射器100。0075上述垂直腔面太赫兹发射器100可用于射频器的结构中。所述垂直腔面太赫兹发射器100的具体结构参照上述实施例,由于本射频器采用了上述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。0076本发明还提供一种滤波器(未图示),包括所述的垂直腔面太赫兹发射器100。0077上述垂直腔面太赫兹发射器100可用于滤波器的结构中。所述垂直腔面太赫兹发射器100的具体结构参照上述实施例,由于本滤波器采用了上述所有实施例的全部技术方案,。
35、因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。0078本发明还提供一种调制器(未图示),包括所述的垂直腔面太赫兹发射器100。0079上述垂直腔面太赫兹发射器100可用于调制器的结构中。所述垂直腔面太赫兹发射器100的具体结构参照上述实施例,由于本调制器采用了上述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。0080最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。说明书7/7 页10CN 116505374 A10图1图2说明书附图1/3 页11CN 116505374 A11图3图4说明书附图2/3 页12CN 116505374 A12图5说明书附图3/3 页13CN 116505374 A13。
- 内容关键字: 垂直 腔面太 赫兹 发射器 射频 滤波器 以及 调制器
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