多带电粒子束装置的光学系统调整方法以及计算机可读取的存储介质.pdf

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1、(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202310108915.3(22)申请日 2023.02.13(30)优先权数据2022-021384 2022.02.15 JP(71)申请人 纽富来科技股份有限公司地址 日本神奈川县(72)发明人 森田博文(74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002专利代理师 刘杰(51)Int.Cl.G03F 7/20(2006.01)(54)发明名称多带电粒子束装置的光学系统调整方法以及计算机可读取的存储介质(57)摘要提供一种多带电粒子束装置的光学系统调整方法以及计算机可读取的存储介质,。

2、能够有效地使多带电粒子束照明系统像差减小。在将多带电粒子束依次经由包含多个要素的照明光学系统以及物镜照射到载置在工作台上的基板的多带电粒子束装置的光学系统调整方法中,测定上述多带电粒子束中包含的多个单独射束的位置偏移量,作为使测定面或者上述多带电粒子束的成像位置不同的两个以上的光轴方向的高度,基于上述两个以上的高度和上述位置偏移量计算作为上述照明光学系统的照明系统像差相当量的标准化位置差分,使用针对上述多个单独射束的每个的上述标准化位置差分的值,调整上述多个要素的至少任一个的设定值。权利要求书2页 说明书8页 附图5页CN 116610004 A2023.08.18CN 116610004 A。

3、1.一种多带电粒子束装置的光学系统调整方法,该多带电粒子束装置将多带电粒子束依次经由包含多个要素的照明光学系统以及物镜照射到载置在工作台上的基板,在该光学系统调整方法中,测定上述多带电粒子束中包含的多个单独射束的位置偏移量,作为使测定面或者上述多带电粒子束的成像位置不同的两个以上的光轴方向的高度,基于上述两个以上的高度和上述位置偏移量计算作为上述照明光学系统的照明系统像差相当量的标准化位置差分,使用针对上述多个单独射束的每个的上述标准化位置差分的值,调整上述多个要素中的至少任一个的设定值。2.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置的光学系统调整方法,其中,使用上述标准化位置差分的值计算像差代表值。

4、,调整上述多个要素中的至少任一个的设定值,以使上述像差代表值减小。3.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置的光学系统调整方法,其中,上述光轴方向的高度是上述多带电粒子束的成像位置的光轴方向的高度,改变上述多带电粒子束的成像位置的高度,测定上述多个单独射束的位置偏移量,从上述位置偏移量相对于上述成像高度的变化的变化率中,减去对射束位置坐标乘以常数而得的值,来计算上述标准化位置差分,上述常数表示由于上述成像高度的变化而产生的射束的倍率与旋转相对于成像高度的变化率。4.根据权利要求3所述的多带电粒子束装置的光学系统调整方法,其中,通过使上述物镜的励磁变化来改变上述成像高度。5.根据权利要求1所述的多。

5、带电粒子束装置的光学系统调整方法,其中,上述光轴方向的高度是设置在上述工作台上的射束位置测定用的标记的表面的光轴方向的高度,使上述射束位置测定用的标记上下移动来改变标记的表面的高度,测定上述多个单独射束的位置偏移量,从对射束位置坐标乘以表示射束的描绘面入射位置与着陆角的比率的常数而得的值中,减去上述位置偏移量相对于上述标记表面的高度的变化的变化率,计算上述标准化位置差分。6.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置的光学系统调整方法,其中,上述多个要素包含照明透镜、对准偏转器、象散校正器、六极子、八极子以及光栅透镜中的至少任一个。7.根据权利要求2所述的多带电粒子束装置的光学系统调整方法,其中,作。

6、为上述像差代表值,计算针对上述多个单独射束的每个的上述标准化位置差分的绝对值的平方的总和的平方根。8.根据权利要求2所述的多带电粒子束装置的光学系统调整方法,其中,通过以单独射束的射束位置为参数的多项式来近似针对上述多个单独射束的每个的上述标准化位置差分,并基于该多项式来计算上述像差代表值。9.根据权利要求8所述的多带电粒子束装置的光学系统调整方法,其中,计算上述多项式的低次分量的和来作为上述像差代表值。权利要求书1/2 页2CN 116610004 A210.一种计算机可读取的存储介质,保存有程序,所述程序调整将多带电粒子束依次经由包含多个要素的照明光学系统以及物镜照射到载置在工作台上的基板。

7、的多带电粒子束装置的光学系统,所述程序使计算机执行以下步骤:测定上述多带电粒子束中包含的多个单独射束的位置偏移量,作为使测定面或者上述多带电粒子束的成像位置不同的两个以上的光轴方向的高度;基于上述两个以上的高度和上述位置偏移量计算作为上述照明光学系统的照明系统像差相当量的标准化位置差分;以及使用上述标准化位置差分的值,调整上述多个要素中的至少任一个的设定值。权利要求书2/2 页3CN 116610004 A3多带电粒子束装置的光学系统调整方法以及计算机可读取的存储介质0001本申请是如下申请:以日本专利申请2022021384(申请日:2022年2月15日)为基础申请,主张该基础申请的优选权。。

8、本申请通过参照该基础申请而包括该基础申请的全部内容。技术领域0002本发明涉及多带电粒子束装置的光学系统调整方法以及计算机可读取的存储介质。背景技术0003随着LSI的高集成化,半导体设备所要求的电路线宽逐年微细化。为了向半导体设备形成所希望的电路图案,采用如下方法:使用缩小投影型曝光装置,将在石英上形成的高精度的原画图案缩小转印到晶片上。高精度的原画图案由电子束描绘装置进行描绘,使用所谓电子束光刻技术。0004例如,有使用了多射束的描绘装置。与用一个电子束描绘的情况相比,通过使用多射束,能够一次照射较多的射束,因此能够大幅度提高处理量。在多射束方式的描绘装置中,例如,使从电子枪发射的电子束通。

9、过具有多个开口的成形孔径阵列基板而形成多射束,分别进行消隐控制,未被遮挡的各射束由光学系统缩小,由偏转器偏转而向试样上的所希望的位置照射。0005在多射束描绘装置中,为了提高描绘图案的位置精度以及分辨率,需要减小描绘面(试样面)上的多射束的畸变以及像差。由于照明系统像差对描绘面上的多射束的应变以及像差造成较大的影响,因此要求照明系统像差的减小。另外,照明系统像差是从在照明系统中产生的理想设计轨道的偏移,成为形成在射束轨道的中途的交叉(实质的光源像)的像差的原因。因而,照明系统像差与交叉像差实质上相同,但在本说明书中使用照明系统像差。0006但是,以往,由于无法高精度地测定照明系统像差,无法确认。

10、像差是否充分地减小,因此照明系统的调整不充分。发明内容0007提供一种能够有效地减小多带电粒子束照明系统像差的多带电粒子束装置的光学系统调整方法以及计算机可读取的存储介质。0008本发明的一个方式的多带电粒子束装置的光学系统调整方法为,上述多带电粒子束装置将多带电粒子束依次经由包含多个要素的照明光学系统以及物镜照射到载置在工作台上的基板,其中,测定多带电粒子束中包含的多个单独射束的位置偏移量,作为使测定面或者上述多带电粒子束的成像位置不同的两个以上的光轴方向的高度,基于两个以上的高度和位置偏移量计算作为照明光学系统的照明系统像差相当量的标准化位置差分,使用说明书1/8 页4CN 1166100。

11、04 A4针对多个单独射束的每个的标准化位置差分的值,调整多个要素中的至少任一个的设定值。附图说明0009图1是本发明的实施方式的描绘装置的概要构成图。0010图2是成形孔径阵列基板的俯视图。0011图3是对该实施方式的光学系统的调整方法进行说明的流程图。0012图4是对该实施方式的光学系统的调整方法进行说明的流程图。0013图5A、图5B是表示测定单独射束的位置偏移量时的高度的改变方法的例子的图。0014符号的说明:001510:基板;20:标记;102:电子光学镜筒;103:描绘室;105:XY工作台;110:控制计算机;120:控制电路;200:电子束;201:电子枪;202:照明透镜;。

12、203:成形孔径阵列基板;204:消隐孔径阵列机构;206:限制孔径基板;208:偏转器;210:物镜;230:对准偏转器;232:象散校正器;234:六极子;236:八极子;238光栅透镜。具体实施方式0016以下,在实施方式中,作为多带电粒子束装置的光学系统的一例,对使用了电子束的多射束描绘装置中的光学系统的构成进行说明。但是,带电粒子束并不限定于电子束,也可是使用了离子射束等带电粒子的射束。此外,也可以不应用于描绘装置,而应用于SEM等光学系统。0017图1是本发明的实施方式的多射束描绘装置的概要构成图。如图1所示,多射束描绘装置具备描绘部W和控制部C。描绘部W具备电子光学镜筒102和描。

13、绘室103。在电子光学镜筒102内配置有电子枪201、照明光学系统IL、成形孔径阵列基板203、消隐孔径阵列机构204、限制孔径基板206、偏转器208以及物镜210。0018照明光学系统IL工作,向成形孔径阵列基板203照射射束,并在下游的规定的位置形成交叉CO。交叉CO是通过成形孔径阵列基板203的各孔的单独射束的各中心轨道汇聚为一个的地方,在多个光学系统中,如本实施例那样,成为在电子枪201的附近形成的交叉(也存在实质的光源、虚像的情况)的像。0019在图1所示的例子中,照明光学系统IL设置在成形孔径阵列基板203的上方(射束行进方向的上游侧),并由上游的一个透镜实现射束照射和交叉CO形。

14、成的功能。与这样的构成例不同,也存在以下构成的例子:在向成形孔径阵列基板203垂直地照射电子束的光学系统中,为了在下游的规定的位置形成交叉CO,由配置于成形孔径阵列基板203的后级的透镜再次使射束收敛。在该情况下,成形孔径阵列基板203的后级的透镜(用于使交叉CO形成的透镜)在功能上成为照明光学系统IL的一部分。0020照明光学系统IL包含多个构成要素。在图1所示的例子中,照明光学系统IL具有照明透镜202、对准偏转器230、象散校正器232、六极子234、八极子236以及光栅透镜238。0021对准偏转器230具有使射束偏转的功能,调整在照明透镜202、成形孔径阵列基板203的射束的位置、角。

15、度,主要校正照明透镜系统的彗差、交叉CO在平面内的位置。0022象散校正器232校正照明透镜系统的像散。说明书2/8 页5CN 116610004 A50023六极子234校正照明透镜系统的六极像差分量。0024八极子236校正照明透镜系统的八极像差分量。0025光栅透镜238校正照明透镜系统的球面像差。0026在照明光学系统IL以及成形孔径阵列基板203的下方(射束行进方向的下游侧)也配置对准器、多极子(象散校正器、六极子、八极子等),但省略图示。0027在描绘室103内配置能够在XY方向(与电子光学系统的光轴垂直的方向)移动的XY工作台105以及检测器220。XY工作台105也可以在Z方向。

16、(电子光学系统的光轴方向)上移动。在XY工作台105上配置描绘对象的基板10。在基板10中包括制造半导体装置时的曝光用掩模、制造半导体装置的半导体基板(硅晶片)等。此外,在基板10中包括涂布有抗蚀剂的尚未进行任何描绘的掩模坯。0028在XY工作台105上还设置有标记20。标记20也能够在Z方向移动。标记20例如是十字形状或微小点形状的金属制标记。检测器220检测对标记20进行射束扫描时的反射电子(或者二次电子)。0029此外,在XY工作台105上配置工作台的位置测定用的反射镜30。0030控制部C具有控制计算机110、控制电路120、检测电路122以及工作台位置检测器124。工作台位置检测器1。

17、24照射激光,接受来自反射镜30的反射光,根据激光干涉法的原理检测XY工作台105的位置。0031在图1中,示出了在说明实施方式的基础上的必要的构成,省略其他的构成的图示。例如,在图1中,物镜210设为一级,但也可以设为二级等多级。即使对于照明透镜202也可以是多级的。0032图2是表示成形孔径阵列基板203的构成的概念图。在图2中,在成形孔径阵列基板203以规定的排列间距呈矩阵状形成有纵(y方向)p列横(x方向)q列(p、q2)的开口(第1开口部)203a。各开口203a均以相同的尺寸形状的矩形形成。开口203a也可以为圆形。电子束200的一部分分别通过上述多个开口203a,由此形成多射束M。

18、B。0033消隐孔径阵列机构204设置于成形孔径阵列基板203的下方,与成形孔径阵列基板203的各开口203a的配置位置匹配形成有通过孔(第2开口部)。在各通过孔配置由成对的两个电极的组构成的消隐器。消隐器的一个电极在接地电位被固定,将另一个电极切换为与接地电位不同的电位。通过各通过孔的电子束借助施加于消隐器的电压分别独立地被偏转。这样,多个消隐器对通过成形孔径阵列基板203的多个开口203a的多射束MB中的各个对应的射束进行消隐偏转。0034从电子枪201(发射部)发射的电子束200被照明透镜202折射,并对成形孔径阵列基板203整体进行照明。电子束200对包含多个(全部)开口203a的区域。

19、进行照明。电子束200的一部分通过成形孔径阵列基板203的多个开口203a,由此形成多个电子束(多射束MB)。多射束MB通过消隐孔径阵列机构204的各个对应的消隐器内。消隐器分别对通过的射束进行消隐控制,使得在设定的描绘时间(照射时间)射束成为开启状态。0035多射束MB接受由照明透镜202产生的折射,借助其折射,通过了消隐孔径阵列机构204的多射束MB朝向形成于限制孔径基板206的中心的开口部(第3开口部)行进。然后,多射束MB在限制孔径基板206的开口部的高度位置形成交叉CO。0036此处,被消隐孔径阵列机构204的消隐器偏转的射束的位置从限制孔径基板206的说明书3/8 页6CN 116。

20、610004 A6开口部错开,并被限制孔径基板206遮挡。另一方面,未被消隐孔径阵列机构204的消隐器偏转的射束通过限制孔径基板206的开口部。这样,限制孔径基板206遮挡被偏转的射束,使得借助各消隐器成为射束截止的状态。0037借助从成为射束开启到成为射束截止而形成的、通过了限制孔径基板206的射束,形成一次发射的各射束。借助通过了限制孔径基板206的多射束MB的各射束借助物镜210而成为成形孔径阵列基板203的开口203a的所希望的缩小倍率的孔径像,在基板10上被进行焦点调整。然后,借助偏转器208而通过了限制孔径基板206的各射束(多射束整体)被汇聚向相同方向而被偏转,并照射到各射束在基。

21、板10上的各自的照射位置。0038例如,在XY工作台105连续移动时,借助偏转器208进行控制,使得射束的照射位置追随XY工作台105的移动。一次照射的多射束MB理想上以在成形孔径阵列基板203的多个开口203a的排列间距上乘以上述所希望的缩小率而得的间距排列。描绘装置以将发射射束连续依次照射的光栅扫描方式进行描绘动作,在描绘所希望的图案时,不需要的射束通过消隐控制而被控制为射束截止。0039为了提高在基板10上描绘的图案的位置精度以及分辨率,需要减小由照明光学系统IL产生的照明系统像差。按照图3、图4所示的流程图对用于减小照明系统像差的光学系统调整方法进行说明。0040首先,在描绘面附近的不。

22、同的两个以上的高度中,测定构成多射束的多个单独射束中的、多个单独射束的位置偏移量(步骤S1)。例如,仅将测定对象的单独射束一根根地依次设为开启,由偏转器208对射束进行偏转来扫描标记20,通过检测器220检测由标记20反射的电子。检测电路122将由检测器220检测出的电子量通知给控制计算机110。控制计算机110根据所检测出的电子量获取扫描波形(包含扫描画像),以XY工作台105的位置为基准,计算单独射束的位置。所计算出的射束位置与理想位置的差分为位置偏移量。位置偏移量有时也称为畸变。另外,可以将汇聚接近的多个射束(例如以1616根)扫描而获得的、多个射束的平均的位置偏移量设为假定处于多个射束。

23、的中心位置的射束的位置偏移量。0041依次切换设为开启的单独射束,并求出各射束的位置偏移量。测定多个射束的各个的位置偏移量的理由是,由于照明系统像差对多射束整体产生影响,因此为了计算照明系统像差而需要多个射束的信息。无法根据一个射束的位置偏移量、射束整体的平均的位置偏移量的信息评价照明系统像差。根据求出位置偏移量的单独射束的数量、例如构成多射束的512512根射束,等间隔地选择55根射束作为测定对象。0042另外,单独射束的数量根据后述的像差代表值的计算方法来决定最低限度的所需个数。例如在将标准化位置差分的多项式近似的到3次的分量利用为像差代表值的计算的情况下,只要测定与到3次的多项式系数的个。

24、数(即10个)相同数量以上的单独射束的位置偏移量即可。0043另外,所谓“高度不同”或者“改变高度”可以是如图5A所示的、使XY工作台105在Z方向(光轴方向)移动、改变用于位置测定的标记20的表面(测定面)的光轴方向的高度且多射束的成像高度固定的“测定面高度变更、成像高度固定”,也可以是如图5B所示的测定面的高度不改变而改变多射束的成像位置的光轴方向的高度的“测定面高度固定、成像高度变更”。此处,成像高度的变更通过变更物镜210的励磁来进行。0044在本实施方式中,对在高度z1、高度z2的两个高度进行测定的例子进行说明。高度说明书4/8 页7CN 116610004 A7z1与高度z2之差优。

25、选几 m几十 m左右。另外,在高度z1、z2中,射束不需要在标记20的表面(测定面)进行聚焦(Just Focus)。例如,可以在一个高度产生聚焦,在另一个高度产生聚焦偏移,也可以在两个高度上产生聚焦偏移。0045将高度z1中的第j个测定对象的单独射束的理想位置(基准位置)设为(xj,yj),将对应的复坐标设为 jxj+iyj,将位置偏移量设为 w(j,z1)。w(j,z1)是复数,实部与x方向的位置偏移量对应,虚部与y方向的位置偏移量对应。该位置偏移量由于是距理想位置的位置偏移,因此相当于畸变。将测定对象的单独射束的数量设为N时,为1jN。另外,与通常的电子光学系统分析等同样地,单独射束的理。

26、想位置(xj,yj)的原点设为电子光学系统的光轴(即,将电子光学系统的光轴与测定面交叉的点设为原点)。0046同样地,在高度z2的测定对象的单独射束的位置偏移量被表示为 w(j,z2)。0047接着,使用在步骤S1求出的在两个高度的位置偏移量 w(j,z1)以及 w(j,z2)、下述的式,计算与光学系统像差对应的照明系统像差相当量、即标准化位置差分 wH(j)(步骤S2)。以下,将 wH(j)称为标准化位置差分。如后述所示,标准化位置差分为照明系统像差相当量。标准化位置差分 wH(j)的计算式根据在步骤S1中的高度设定方法而不同。0048在步骤S1中的高度设定方法是“测定面高度固定、成像高度变。

27、更”的情况下,使用以下的式(1)计算标准化位置差分 wH(j)。00490050物镜内的射束通过位置与照明系统的像差成比例地发生变化。此处,当使物镜励磁变化时,在成像面的射束位置与距射束通过位置的透镜中心的距离成比例地发生变化。此外,同时,成像高度与物镜励磁的变化成比例地变化。上述的式(1)的第1项计算射束位置相对于成像高度的变化的比率,这与照明系统像差成比例。0051但是,在式(1)的第1项中不仅包含由照明系统像差产生的分量,还包含无照明系统像差的理想的状态下产生的分量。当步骤S1中的高度设定方法是“测定面高度固定、成像高度变更”的情况下,无照明系统像差的理想的情况下产生的分量是对表示使物镜。

28、励磁变化时的、表示射束的倍率与旋转相对于成像高度的变化率的常数乘以射束位置坐标而得的量。0052因而,从式(1)的第1项减去在无照明系统像差的理想的情况下产生的分量即第2项,求出为照明系统像差相当量的标准化位置差分 wH(j)。式(1)的kH是复数,是常数,该常数是在图1所示的描绘装置理想地制作、调整后的情况下表示在测定面高度固定下使物镜励磁变化时的射束的倍率与旋转的变化率。常数kH的实数部与倍率变化地对应,虚部与旋转变化对应。该常数kH能够借助射束轨道模拟来计算。另外,高度z1、z2的设为正的方向与常数kH的计算中的坐标的选取方式取得匹配来决定。0053也可以模拟地计算色像差系数,使用轴上色。

29、像差系数kX、倍率色像差系数kT,如kHkT/kX那样来计算常数kH。另外,在物镜是静电透镜的情况下,不针对励磁变化而针对施加电压变化计算同样的常数来使用即可。也可以通过不改变物镜的施加电压而改变静电焦点校正透镜(省略图示)的施加电压来改变多射束的成像高度。此外,在此之前的说明中,对使一个物镜的励磁变化来改变成像高度的例子进行了说明,但是也可以使多个物镜的励磁变化。该情况下,以一定的比率使多个物镜的励磁量变化,常数kH在以上述一定的比率使励磁说明书5/8 页8CN 116610004 A8量变化的条件下进行轨道模拟来计算。0054当步骤S1中的高度设定方法是“测定面高度变更、成像高度固定”的情。

30、况下,使用以下的式(2)来计算标准化位置差分 wH(j)。式(2)的第1项计算射束位置相对于测定面高度的变化的比率。式(1)的第1项是针对成像面的高度,式(2)的第1项是针对测定面的高度的,但同时计算射束位置相对于高度的变化的比率。00550056物镜内的射束通过位置与照明系统的像差成比例地发生变化,其结果是,向测定面的着陆角(入射角)发生变化。此处,当使测定面的高度变化时,在测定面的射束位置与着陆角成比例地发生变化。上述的式(2)的第1项计算射束位置相对于测定面高度的变化的比率即着陆角,这与照明系统像差成比例。0057但是,在式(2)的第1项中,不仅包含因照明系统像差产生的分量,还包含在无照。

31、明系统像差的理想的状态下产生的分量。0058在步骤S1中的高度设定方法是“测定面高度变更、成像高度固定”的情况下,在无照明系统像差的理想的情况下产生的分量是对表示试样面射束位置与着陆角(设计上的理想的着陆角)的比率的常数乘以射束位置坐标而得的量。因而,从式(2)的第1项减去无照明系统像差的理想的情况下产生的分量、即第2项,求出成为照明系统像差相当量的标准化位置差分 wH(j)。0059式(2)的LA是复数,在图1所示的描绘装置被理想地制作、调整的情况下,是表示单独射束的描绘面入射位置与着陆角的比率的常数。常数LA的实数部与半径方向的着陆角对应,虚部与旋转方向的着陆角对应。该常数LA使用由射束轨。

32、道模拟计算出的轴外轨道wb如LAwb(zi)/wb(zi)这样计算出。在此,zi是像面坐标值(成像面位置)。另外,高度z1、z2的为正的方向与常数LA的计算中的坐标的选取方式取得匹配来决定。0060接着,根据照明系统像差相当量(即标准化位置差分 wH(j)计算像差代表值(步骤S3)。像差代表值例如是标准化位置差分 wH(j)的要素(针对各射束的值)的绝对值的平方的总和的平方根。0061通过以射束位置为参数的多项式近似标准化位置差分 wH(j),可以将其低次分量的和(例如,从0次到3次的分量的射束区域端中的绝对值的和)设为像差代表值。此外,可以对标准化位置差分 wH(j)进行傅里叶变换,适当地选。

33、择低次分量的绝对值等。0062接着,依次调整照明光学系统IL的构成要素的设定值。照明光学系统IL的构成要素是照明透镜202、对准偏转器230、象散校正器232、六极子234、八极子236以及光栅透镜238等。从这些构成要素中选择一个未选择的要素(步骤S4)。另外,如对准偏转器那样具有XY两个设定值的要素可以将XY作为其他的要素处理,例如最初选择对准器X,接着依次选择对准器Y。0063使所选择的构成要素的设定值变化规定量(微动)(步骤S5)。所谓设定值是励磁电流、施加电压等。0064在设定值的变更后,进行两个以上的高度的单独射束的位置偏移量的测定(步骤S6)、标准化位置差分的计算(步骤S7)、像。

34、差代表值的计算(步骤S8)。由于步骤S6S8的处理与上述的步骤S1S3是同样的,因此省略说明。说明书6/8 页9CN 116610004 A90065在借助构成要素的设定值变更而像差代表值减小的情况下(步骤S9的是),返回到步骤S5,使构成要素的设定值还向与前次变更相同的方向变化规定量。在到像差代表值不再发生减小之前重复进行步骤S5S8的处理。0066预先针对每个构成要素通过实际测量、模拟等求出设定值的变更量、标准化位置差分、像差代表值的变化量之间的关系、趋势,可以用于步骤S5的设定值变更(即,可以用于上述规定量的决定)。0067根据构成要素的设定值变更,在像差代表值增大或者未发生变化的情况(。

35、步骤S9的否),将构成要素的设定值恢复到前一个状态(步骤S10)。判定在步骤S5中的设定值变更的次数(步骤S11)。在变更次数是一次的情况下,将使设定值变化的方向反转(步骤S12),返回到步骤S5,使构成要素的设定值以规定量变化。0068例如,当在第一次的设定值变更中使施加电压增大规定量时,在像差代表值增大的情况下,将设定值恢复为初始值,在第二次的设定值变更中使施加电压减小规定量。0069在设定值变更的次数是两次以上的情况下,结束该构成要素的设定值调整。在存在不进行设定值的调整的构成要素的情况下(步骤S13的否),返回到步骤S4。针对照明光学系统IL的所有的构成要素依次进行步骤S5S12的处理。

36、,并调整设定值。0070照明光学系统IL的构成要素的设定值调整顺序未被特别限定,但是作为一例,按照对准偏转器230、照明透镜202、象散校正器232、六极子234、八极子236、光栅透镜238的顺序调整设定值。当变更对准偏转器230的设定值时,由于大多情况下射束轨道发生较大变化、像差也发生较大变化,因此最初调整对准偏转器230的设定值有效的情况较多。0071在全部构成要素的设定值的调整后(步骤S13的是),再次返回到步骤S4。将该循环(从步骤S4到步骤S13的循环)重复规定次(通常为25次左右)。0072在执行规定次数的从步骤S4到步骤S13的循环后(步骤S14的是),通过公知的方法调整设置于。

37、比消隐孔径阵列机构204靠下方(射束行进方向的下游侧)的位置的对准器、多极子等的励磁,并调整在描绘面的射束阵列像的畸变(步骤S15)。此外,测定使物镜210的励磁发生微小变化时的在描绘面的射束移动(全体射束的移动的平均或者全体射束的中心附近的射束的移动),调整对准器、多极子等的励磁以使得射束移动量最小。0073这样,使用进行了光学系统的调整的描绘装置在基板10上描绘图案。首先,控制计算机110从存储装置(省略图示)读出描绘数据,针对描绘数据进行多级的数据变换处理,生成装置固有的发射数据。在发射数据上定义各发射的照射量以及照射位置坐标等。0074控制计算机110基于发射数据将各发射的照射量输出到。

38、控制电路120。控制电路120将所输入的照射量除以电流密度来求出照射时间t。然后,控制电路120在进行对应的发射时,控制施加给对应的消隐器的偏转电压,使得仅以照射时间t开启射束。0075控制计算机110将偏转位置数据输出到控制电路120,使得各射束偏转到发射数据所示的位置(坐标)。控制电路120运算偏转量,向偏转器208施加偏转电压。由此,在该次发射的多射束被一并偏转。0076如以上那样,根据本实施方式,能够使照明系统像差效率好且可靠地减小,在基板上描绘位置精度以及分辨率高的图案。0077可以使用如以下的式(3)那样的简单数学式来求出标准化位置差分 wH(j)。该式是省略了上述式(1)、(2)。

39、的第2项后的简易数学式,能够不依赖于在步骤S1、S6中的高度设说明书7/8 页10CN 116610004 A10定方法来应用。当与上述式(1)、(2)进行比较时省略kH或者LA的项,但由于通常以这些系数变小的方式来进行光学设计的情况较多,因此在较多情况下即使省略这些项,影响也小。另外,式(2)的第1项的符号与式(3)的符号不同,只要在计算像差代表值时通过取绝对值等来除去符号的影响即可。00780079此外,在高度z1、z2恒定的情况下,也可以使用如以下的式(4)那样的简化的数学式来求出标准化位置差分 wH(j)。0080 wH(j)w(j,z2)w(j,z1)(4)0081在上述实施方式中,。

40、如式(1)、(2)的第1项所示,求出两个高度的位置偏移量的差分,但也可以使用两个高度中的各射束的位置的差分。此外,可以使用两个高度中的位置偏移量,但也可以使用三个以上的高度中的位置偏移量。在使用三个以上的高度的情况下,式(1)、(2)的第1项不是单纯的除法计算,只要使用位置偏移量相对于高度变化的变化率即可。变化率例如能够通过最小二乗法来计算。0082上述光学系统调整方法的各步骤通过控制计算机110对控制电路120、检测电路122以及工作台位置检测器124进行控制、并使描绘部W的各部动作来执行。控制计算机110可以由电路等的硬件构成,也可以由软件构成。在由软件构成的情况下,可以将控制计算机110。

41、的实现至少一部分的功能的程序保存在非易失性的存储介质中,也可以使其读入包含电路的计算机来执行。0083在到此为止的说明中,示出了通过扫描标记而得到的信号来进行射束的位置偏移量的测定的例子,但是也可以通过描绘图案的畸变测定来代替。例如,可以通过改变物镜励磁来改变射束成像位置的高度,进行图案描绘,通过该图案的畸变测量来进行。0084进而,可以一边依次改变构成要素的设定值,一边由两个励磁进行图案描绘,进行它们的图案的畸变测量,计算标准化位置差分,计算像差代表值,选择像差代表值的变为最小的构成要素设定值来设定。0085另外,本发明并不限定上述实施方式不变,而是能够在实施阶段在不脱离其主旨的范围内对构成要素进行变形而具体化。此外,通过由上述实施方式公开的多个构成要素的适当的组合,能够形成各种发明。例如,可以从实施方式所示的所有构成要素中删除一些构成要素。并且,可以适当组合分布在不同实施方式中的构成要素。说明书8/8 页11CN 116610004 A11图1说明书附图1/5 页12CN 116610004 A12图2说明书附图2/5 页13CN 116610004 A13图3说明书附图3/5 页14CN 116610004 A14图4图5A说明书附图4/5 页15CN 116610004 A15图5B说明书附图5/5 页16CN 116610004 A16。

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内容关键字: 带电 粒子束 装置 光学系统 调整 方法 以及 计算机 可读 存储 介质
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