包括稠环化合物的发光装置、电子设备和稠环化合物.pdf

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1、(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202310102946.8(22)申请日 2023.02.10(30)优先权数据10-2022-0019788 2022.02.15 KR(71)申请人 三星显示有限公司地址 韩国京畿道(72)发明人 鲜于卿金洗栾朴宣映白长烈沈文基吴灿锡河莫兰(74)专利代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018专利代理师 袁媛康泉(51)Int.Cl.H10K 85/60(2023.01)H10K 85/40(2023.01)H10K 50/11(2023.01)C07F 5/02(2006.01)C。

2、07F 7/08(2006.01)C09K 11/06(2006.01)(54)发明名称包括稠环化合物的发光装置、电子设备和稠环化合物(57)摘要实施方式提供了稠环化合物、包括该稠环化合物的发光装置和包括该发光装置的电子设备。发光装置包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中发射层包括稠环化合物。稠环化合物由式1表示，其在说明书中解释：式1权利要求书17页 说明书105页 附图2页CN 116615080 A2023.08.18CN 116615080 A1.发光装置包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间。

3、并且包括发射层的夹层，其中所述发射层包括由式1表示的稠环化合物：式1其中在式1中，Y1为B、P(O)或P(S)，环CY1至环CY3各自独立地为C5C60碳环基或C1C60杂环基，环CY4和环CY5各自独立地为包括至少一个氮原子的C1C60杂环基，Ar1至Ar4各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，R1至R5各自独立地为氢、氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2C60炔基、未取。

4、代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳硫基、Si(Q1)(Q2)(Q3)、N(Q1)(Q2)、B(Q1)(Q2)、C(O)(Q1)、S(O)2(Q1)或P(O)(Q1)(Q2)，a1至a5各自独立地为选自0至10的整数，数量为a1的R1中的两个或更多个R1任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，数量为。

5、a2的R2中的两个或更多个R2任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，数量为a3的R3中的两个或更多个R3任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，R10a为：权利要求书1/17 页2CN 116615080 A2氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基或硝基；各自未取代的或被以下取代的C1C60烷基、C2C60烯基、C2C60炔基或C1C60烷氧基：氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、C3C60碳环基、C1C60杂环基、C6。

6、C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基、C2C60杂芳烷基、Si(Q11)(Q12)(Q13)、N(Q11)(Q12)、B(Q11)(Q12)、C(O)(Q11)、S(O)2(Q11)、P(O)(Q11)(Q12)或其任何组合；各自未取代的或被以下取代的C3C60碳环基、C1C60杂环基、C6C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基或C2C60杂芳烷基：氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、C1C60烷基、C2C60烯基、C2C60炔基、C1C60烷氧基、C3C60碳环基、C1C60杂环基、C6C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基、C2C60杂芳烷基、Si(Q。

7、21)(Q22)(Q23)、N(Q21)(Q22)、B(Q21)(Q22)、C(O)(Q21)、S(O)2(Q21)、P(O)(Q21)(Q22)或其任何组合；或Si(Q31)(Q32)(Q33)、N(Q31)(Q32)、B(Q31)(Q32)、C(O)(Q31)、S(O)2(Q31)或P(O)(Q31)(Q32)，并且Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地为：氢；氘；F；Cl；Br；I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、F、氰基、C1C60烷基、C1C60烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合取代的C1C60烷基、C2C60。

8、烯基、C2C60炔基、C1C60烷氧基、C3C60碳环基或C1C60杂环基；C7C60芳烷基；或C2C60杂芳烷基。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述由式1表示的稠环化合物的三重态能级和单重态能级之间的差等于或小于0.2eV。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射具有430nm至480nm的范围内的最大发射波长的光。4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括：作为第一化合物的所述由式1表示的稠环化合物；和包括由式20表示的基团的第二化合物、包括至少一个缺 电子的含氮C1C60环状基团的第三化合物、包括过渡金属的第四化合物或其任何组合，并且所述第一化合物、所述第二。

9、化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同：式20其中在式20中，环CY71和环CY72各自独立地为富 电子的C3C60环状基团或吡啶基，X71为：单键；或包括O、S、N、B、C、Si或其任何组合的连接基团，*指示与相邻原子的结合位点，并且所述第二化合物中排除CBP和mCBP：权利要求书2/17 页3CN 116615080 A35.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述发射层包括：作为所述第一化合物的包括所述由式1表示的稠环化合物；和所述第二化合物和所述第三化合物中的至少一种，并且所述发射层任选地进一步包括所述第四化合物。6.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述第三化合物包括吡啶基、嘧。

10、啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或其任何组合。7.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述第四化合物包括由式401表示的化合物：式401M(L401)xc1(L402)xc2其中在式401中，M为过渡金属，L401为由式402表示的配体，式402xc1为1、2或3，当xc1为2或更大时，两个或更多个L401彼此相同或不同，L402为有机配体，xc2为0、1、2、3或4，当xc2为2或更大时，两个或更多个L402彼此相同或不同，在式402中，X401和X402各自独立地为氮或碳，权利要求书3/17 页4CN 116615080 A4环A401和环A402各自独立地为C3C60碳环基或C1C60杂环基，。

11、T401为单键、*O*、*S*、*C(O)*、*N(Q411)*、*C(Q411)(Q412)*、*C(Q411)C(Q412)*、*C(Q411)*或*C*，X403和X404各自独立地为化学键、O、S、N(Q413)、B(Q413)、P(Q413)、C(Q413)(Q414)或Si(Q413)(Q414)，R401和R402各自独立地为氢、氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C20烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C20烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基、Si(。

12、Q401)(Q402)(Q403)、N(Q401)(Q402)、B(Q401)(Q402)、C(O)(Q401)、S(O)2(Q401)或P(O)(Q401)(Q402)，xc11和xc12各自独立地为选自0至10的整数，Q411至Q414和Q401至Q403各自独立地为：氢；氘；F；Cl；Br；I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、F、氰基、C1C60烷基、C1C60烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合取代的C1C60烷基、C2C60烯基、C2C60炔基、C1C60烷氧基、C3C60碳环基或C1C60杂环基；C7C60芳烷基；或C2C60杂芳烷基，式4。

13、02中的*和*各自指示与式401中的M的结合位点，并且R10a与式1中限定的相同。8.一种电子设备，包括根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置。9.根据权利要求8所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极或所述漏电极。10.一种由式1表示的稠环化合物：式1其中在式1中，Y1为B、P(O)或P(S)，环CY1至环CY3各自独立地为C5C60碳环基或C1C60杂环基，环CY4和环CY5各自独立地为包括至少一个氮原子的C1C60杂环基，Ar1至Ar4各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未。

14、取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，权利要求书4/17 页5CN 116615080 A5R1至R5各自独立地为氢、氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2C60炔基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳硫基、Si(Q1)(Q2。

15、)(Q3)、N(Q1)(Q2)、B(Q1)(Q2)、C(O)(Q1)、S(O)2(Q1)或P(O)(Q1)(Q2)，a1至a5各自独立地为选自0至10的整数，数量为a1的R1中的两个或更多个R1任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，数量为a2的R2中的两个或更多个R2任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，数量为a3的R3中的两个或更多个R3任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的。

16、或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，R10a为：氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基或硝基；各自未取代的或被以下取代的C1C60烷基、C2C60烯基、C2C60炔基或C1C60烷氧基：氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、C3C60碳环基、C1C60杂环基、C6C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基、C2C60杂芳烷基、Si(Q11)(Q12)(Q13)、N(Q11)(Q12)、B(Q11)(Q12)、C(O)(Q11)、S(O)2(Q11)、P(O)(Q11)(Q12)或其任何组合；各自未取代的或被以下取代的C3C60碳环基、C1C60杂环基、C6C60芳氧基、C6C60。

17、芳硫基、C7C60芳烷基或C2C60杂芳烷基：氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、C1C60烷基、C2C60烯基、C2C60炔基、C1C60烷氧基、C3C60碳环基、C1C60杂环基、C6C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基、C2C60杂芳烷基、Si(Q21)(Q22)(Q23)、N(Q21)(Q22)、B(Q21)(Q22)、C(O)(Q21)、S(O)2(Q21)、P(O)(Q21)(Q22)或其任何组合；或Si(Q31)(Q32)(Q33)、N(Q31)(Q32)、B(Q31)(Q32)、C(O)(Q31)、S(O)2(Q31)或P(O)(Q31)(Q32)，并且Q1至。

18、Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地为：氢；氘；F；Cl；Br；I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、F、氰基、C1C60烷基、C1C60烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合取代的C1C60烷基、C2C60烯基、C2C60炔基、C1C60烷氧基、C3C60碳环基或C1C60杂环基；C7C60芳烷基；或C2C60杂芳烷基。11.根据权利要求10所述的稠环化合物，其中环CY1至环CY3不包括氮。12.根据权利要求10所述的稠环化合物，其中环CY4和环CY5各自独立地为包括至少一个氮原子的六元环。13.根据权利要求10所述的稠环化合物。

19、，其中所述由式1表示的稠环化合物由式11或式12表示：式11权利要求书5/17 页6CN 116615080 A6式12其中在式11和式12中，b4和b5各自独立地为选自0至2的整数，并且Y1、环CY1至环CY3、环CY5、Ar1至Ar4、R1至R5、a1至a3和a5各自与式1中限定的相同。14.根据权利要求10所述的稠环化合物，其中在式1中，由表示的部分或由表示的部分各自独立地为由式CY1(1)至式CY1(14)中的一种表示的部分：权利要求书6/17 页7CN 116615080 A7其中在式CY1(1)至式CY1(14)中，R11至R14各自独立地为氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基。

20、、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2C60炔基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳硫基、Si(Q1)(Q2)(Q3)、N(Q1)(Q2)、B(Q1)(Q2)、C(O)(Q1)、S(O)2(Q1)或P(O)(Q1)(Q2)，*指示与式1中的相邻Y1的结合位点，*指示与式1中的相。

21、邻N的结合位点，并且R10a和Q1至Q3各自与式1中限定的相同。15.根据权利要求10所述的稠环化合物，其中在式1中，由表示的部分为由式CY3(1)至式CY3(6)中的一种表示的部分：权利要求书7/17 页8CN 116615080 A8其中在式CY3(1)至式CY3(6)中，R31至R33各自独立地为氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2C60炔基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基、。

22、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳硫基、Si(Q1)(Q2)(Q3)、N(Q1)(Q2)、B(Q1)(Q2)、C(O)(Q1)、S(O)2(Q1)或P(O)(Q1)(Q2)，*指示与式1中的相邻Y1的结合位点，*和*”各自指示与式1中的相邻N的结合位点，并且R10a和Q1至Q3各自与式1中限定的相同。16.根据权利要求10所述的稠环化合物，其中Ar1至Ar4各自独立地为：苯基、联苯基或萘基；或各自被氘或C1C10烷基取代的苯基、联苯基或萘基。17.根据权利要求10所述的稠环化合物。

23、，其中R1至R3各自独立地为氢、氘、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂芳基、未取代的或被至少一个R10a取代的单价非芳族稠合多环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且R10a与式1中限定的相同。18.根据权利要求10所述的稠环化合物，其中R1至R3各自独立地为：氢或氘；未取代的或被氘取代的C1C20烷基；或由式1A1至式1A13中的一种表示的基团：权利要求书8/17 页9CN 116615080 A9其中在式1A1至式1A13中，X1为O、S、N(R。

24、1a)、C(R1a)(R1b)或Si(R1a)(R1b)，Z1至Z8、R1a和R1b各自独立地为氢、氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基或硝基；各自未取代的或被以下取代的C1C60烷基、C2C60烯基、C2C60炔基或C1C60烷氧基：氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、C3C60碳环基、C1C60杂环基、C6C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基、C2C60杂芳烷基、Si(Q11)(Q12)(Q13)、N(Q11)(Q12)、B(Q11)(Q12)、C(O)(Q11)、S(O)2(Q11)、P(O)(Q11)(Q12)或其任何组合；各自未取代的或被以下取代的C3C60碳环基、C。

25、1C60杂环基、C6C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基或C2C60杂芳烷基：氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、C1C60烷基、C2C60烯基、C2C60炔基、C1C60烷氧基、C3C60碳环基、C1C60杂环基、C6C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基、C2C60杂芳烷基、Si(Q21)(Q22)(Q23)、N(Q21)(Q22)、B(Q21)(Q22)、C(O)(Q21)、S(O)2(Q21)、P(O)(Q21)(Q22)或其任何组合；或Si(Q31)(Q32)(Q33)、N(Q31)(Q32)、B(Q31)(Q32)、C(O)(Q31)、S(O)2(Q31。

26、)或权利要求书9/17 页10CN 116615080 A10P(O)(Q31)(Q32)，c1为选自0至5的整数，c2和c6至c8各自独立地为选自0至4的整数，c3为选自0至7的整数，c4为选自0至11的整数，c5为选自0至3的整数，*指示与相邻原子的结合位点，并且R10a和Q31至Q33各自与式1中限定的相同。19.根据权利要求10所述的稠环化合物，其中a1+a2+a3的总和为1或更大。20.根据权利要求10所述的稠环化合物，其中所述由式1表示的稠环化合物为化合物1至132中的一种：权利要求书10/17 页11CN 116615080 A11权利要求书11/17 页12CN 1166150。

27、80 A12权利要求书12/17 页13CN 116615080 A13权利要求书13/17 页14CN 116615080 A14权利要求书14/17 页15CN 116615080 A15权利要求书15/17 页16CN 116615080 A16权利要求书16/17 页17CN 116615080 A17权利要求书17/17 页18CN 116615080 A18包括稠环化合物的发光装置、电子设备和稠环化合物0001相关申请的交叉引用0002本申请要求在韩国知识产权局于2022年2月15日提交的韩国专利申请第1020220019788号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。技术领域。

28、0003实施方式涉及包括稠环化合物的发光装置、包括该发光装置的电子设备和稠环化合物。背景技术0004有机发光装置为自发射装置，其与相关领域的装置相比，具有宽视角，高对比度，短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的特性，并且产生全色图像。0005在示例中，有机发光装置可具有这样的结构：其中第一电极布置在基板上，并且在第一电极上依次形成空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁至基态，因此生成光。0006要理解，本背。

29、景技术章节旨在部分地提供用于理解该技术的有用的背景。然而，本背景技术章节也可包括在本文中公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的想法、概念或认知。发明内容0007实施方式包括：包括新型稠环化合物的发光装置、包括该发光装置的电子设备和稠环化合物。0008另外的方面将部分地在如下的描述中陈述，并且部分地将从描述中是显而易见的，或可通过本公开的实施方式的实践而了解到。0009根据实施方式，发光装置可包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中发射层包括由式1表示的稠环化合物：0010式1说明书1/105 页19CN 1166。

30、15080 A1900110012在式1中，0013Y1可为硼(B)、P(O)或P(S)，0014环CY1至环CY3可各自独立地为C5C60碳环基或C1C60杂环基，0015环CY4和环CY5可各自独立地为包括至少一个氮原子的C1C60杂环基，0016Ar1至Ar4可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，0017R1至R5可各自独立地为氢、氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C。

31、2C60炔基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳硫基、Si(Q1)(Q2)(Q3)、N(Q1)(Q2)、B(Q1)(Q2)、C(O)(Q1)、S(O)2(Q1)或P(O)(Q1)(Q2)，0018a1至a5可各自独立地为选自0至10的整数，0019数量为a1的R1中的两个或更多个R1可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的或被至少一个。

32、R10a取代的C1C60杂环基，0020数量为a2的R2中的两个或更多个R2可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，0021数量为a3的R3中的两个或更多个R3可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂环基，R10a可为：0022氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基或硝基；0023各自未取代的或被以下取代的C1C60烷基、C2C60烯基、C2C60炔基或C1C60烷氧基：氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、C3C60碳环基、。

33、C1C60杂环基、C6C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基、C2C60杂芳烷基、Si(Q11)(Q12)(Q13)、N(Q11)(Q12)、B(Q11)(Q12)、C(O)(Q11)、S(O)2(Q11)、P(O)(Q11)(Q12)或其任何组合；0024各自未取代的或被以下取代的C3C60碳环基、C1C60杂环基、C6C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基或C2C60杂芳烷基：氘、F、Cl、Br、I、羟基、氰基、硝基、C1C60烷基、C2说明书2/105 页20CN 116615080 A20C60烯基、C2C60炔基、C1C60烷氧基、C3C60碳环基、C1C60杂环。

34、基、C6C60芳氧基、C6C60芳硫基、C7C60芳烷基、C2C60杂芳烷基、Si(Q21)(Q22)(Q23)、N(Q21)(Q22)、B(Q21)(Q22)、C(O)(Q21)、S(O)2(Q21)、P(O)(Q21)(Q22)或其任何组合；或0025Si(Q31)(Q32)(Q33)、N(Q31)(Q32)、B(Q31)(Q32)、C(O)(Q31)、S(O)2(Q31)或P(O)(Q31)(Q32)，并且0026Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可各自独立地为：氢；氘，F；Cl；Br；I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被以下取代的C1C60烷基、C2C60烯基。

35、、C2C60炔基、C1C60烷氧基、C3C60碳环基或C1C60杂环基：氘、F、氰基、C1C60烷基、C1C60烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合；C7C60芳烷基；或C2C60杂芳烷基。0027在实施方式中，由式1表示的稠环化合物的三重态能级(eV)和单重态能级(eV)之间的差可等于或小于约0.2eV。0028在实施方式中，发射层可发射具有约430nm至约480nm的范围内的最大发射波长的光。0029在实施方式中，发射层可包括：作为第一化合物的由式1表示的稠环化合物；以及包括由式20表示的基团的第二化合物、包括至少一个缺 电子的含氮C1C60环状基团的第。

36、三化合物、包括过渡金属的第四化合物或其任何组合，其中第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物可彼此不同，并且式20在下面解释。0030在实施方式中，发射层可包括：作为第一化合物的由式1表示的稠环化合物；以及第二化合物和第三化合物中的至少一种，其中发射层可任选地进一步包括第四化合物。0031在实施方式中，第三化合物可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或其任何组合。0032在实施方式中，第四化合物可包括由式401表示的化合物，该式在下面解释。0033根据实施方式，电子设备可包括发光装置。0034在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，其中薄膜晶体管可包括源电极和漏电极，并且发光。

37、装置的第一电极可电连接至源电极或漏电极。0035根据实施方式，稠环化合物可由式1表示。0036在实施方式中，环CY1至环CY3可不包括氮。0037在实施方式中，环CY4和环CY5可各自独立地为包括至少一个氮原子的六元环。0038在实施方式中，由式1表示的稠环化合物可由式11或式12表示，这些式在下面解释。0039在 实 施 方 式 中，在 式 1 中，由表 示 的 部 分 或 由表示的部分可各自独立地为由式CY1(1)至式CY1(14)中的一种表示的说明书3/105 页21CN 116615080 A21部分，这些式在下面解释。0040在实施方式中，在式1中，由表示的部分可为由式CY3(1)至。

38、式CY3(6)中的一种表示的部分，这些式在下面解释。0041在实施方式中，Ar1至Ar4可各自独立地为：苯基、联苯基或萘基；或者各自被氘或C1C10烷基取代的苯基、联苯基或萘基。0042在实施方式中，R1至R3可各自独立地为氢、氘、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6C60芳基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1C60杂芳基、未取代的或被至少一个R10a取代的单价非芳族稠合多环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的单价非芳族稠合杂多环基团，其中R10a在下面解释。0043在实施方式中，R1至R3可各自独立地为：氢或氘；未取代的或被氘取。

39、代的C1C20烷基；或由式1A1至式1A13中的一种表示的基团，这些式在下面解释。0044在实施方式中，a1+a2+a3的总和可为1或更大。0045在实施方式中，稠环化合物可为化合物1至132中的一种，这些化合物在下面解释。0046要理解，以上实施方式仅以一般性和解释性的意义描述，并非出于限制目的，并且本公开不限于上述实施方式。附图说明0047通过参考所附附图详细地描述其实施方式，本公开的上述和其他方面和特征将更加显而易见，其中：0048图1示出根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；0049图2示出根据实施方式的电子设备的示意性横截面图；并且0050图3示出根据另一实施方式的电子设备的示意性。

40、横截面图。具体实施方式0051现将参考其中示出实施方式的所附附图在下文中更充分地描述本公开。然而，本公开可体现为不同的形式并且不应解释为限于本文陈述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。0052在附图中，为了易于描述和为了清楚起见，可放大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的附图标记通篇指相同的元件。0053在描述中，将理解，当元件(或区、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接至”或“联接至”另一元件(或区、层、部分等)时，其可直接在另一元件(或区、层、部分等)上、直接连接至或直接联接至另一元件(或区、层、部分等)，。

41、或在它们之间可存在一个或多个居间说明书4/105 页22CN 116615080 A22元件。在类似的意义上，当元件(或区、层、部分等)被描述为“覆盖”另一元件(或区、层、部分等)时，其可直接覆盖另一元件(或区、层、部分等)，或在它们之间可存在一个或多个居间元件。0054在描述中，当元件“直接在”另一元件“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件时，不存在居间元件。例如，“直接在上”可意指设置两个层或两个元件而在它们之间没有另外的元件比如粘附元件。0055如在本文中使用的，以单数形式使用的表述，比如“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。00。

42、56如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。例如，“A和/或B”可理解为意指“A、B或A和B”。术语“和”和“或”可以以连接意义或分隔意义使用，并且可理解为等同于“和/或”。0057在说明书和权利要求书中，术语“中的至少一个”旨在包括“选自的组中的至少一个”的含义，用于其含义和解释的目的。例如，“A和B中的至少一个”可理解为意指“A、B或者A和B”。当在要素的列表之后时，术语“中的至少一个”修饰要素的整个列表，而不修饰列表的单个要素。0058将理解，尽管术语第一、第二等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与。

43、另一元件。因此，在不背离本公开教导的情况下，第一元件可称为第二元件。类似地，在不背离本公开的范围的情况下，第二元件可称为第一元件。0059为了易于描述，可在本文中使用空间相对术语“下面”、“之下”、“下”、“上面”或“上”等，以描述如附图中阐释的一个元件或组件和另一元件或组件之间的关系。将理解，空间相对术语旨在囊括除了附图中描绘的定向之外的使用或操作中的装置的不同定向。例如，在将附图中阐释的装置翻转的情况下，位于另一装置“下面”或“之下”的装置可放置在另一装置“上面”。相应地，阐释性术语“下面”可包括下和上的两种位置。装置也可在其他方向上定向，并且因此可取决于定向而不同地解释空间相对术语。00。

44、60如本文中使用的术语“约”或“近似”包括叙述值并意指在由本领域普通技术人员考虑到讨论的测量和与阐述的量的测量相关的误差(即测量系统的限制)而确定的阐述值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意指在一个或多个标准偏差之内，或者在叙述值的20、10或5之内。0061应理解，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”和“含有(containing)”等旨在指定叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合在本公开中的存在，但不排除一个或。

45、多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或添加。0062除非本文中另外定义或暗示，否则使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，术语，比如那些在常用词典中定义的术语，应解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且不应以理想的或过于正式的意义来解释，除非在说明书中明确定义。0063本公开的方面提供了发光装置(例如，有机发光装置)，其可包括第一电极、面向第说明书5/105 页23CN 116615080 A23一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中发射层可包括由式1表示的。

46、稠环化合物。0064下文中，将详细地描述由式1表示的稠环化合物：0065式100660067在式1中，Y1可为硼(B)、P(O)或P(S)。0068例如，Y1可为B。0069在式1中，环CY1至环CY3可各自独立地为C5C60碳环基或C1C60杂环基。0070例如，环CY1至环CY3可各自独立地为苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、1,2苯并菲基、环戊二烯基、1,2,3,4四氢萘基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并硼杂环戊二烯基、苯并磷杂环戊二烯基、茚基、苯并噻咯基、苯并锗杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并硒吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硼杂环戊二烯基、二苯并磷杂环戊二烯基、芴基、二苯并噻咯基、。

47、二苯并锗杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并硒吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩5氧化物基、9H芴9酮基、二苯并噻吩5,5二氧化物基、氮杂吲哚基、氮杂苯并硼杂环戊二烯基、氮杂苯并磷杂环戊二烯基、氮杂茚基、氮杂苯并噻咯基、氮杂苯并锗杂环戊二烯基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并硒吩基、氮杂苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并硒吩基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩5氧化物基、氮杂9H芴9酮基、氮杂二苯并噻吩5,5二氧化物基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基。

48、、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、5,6,7,8四氢异喹啉基或5,6,7,8四氢喹啉基。0071在实施方式中，环CY1至环CY3可不包括氮。0072在实施方式中，环CY1至环CY3可为苯基或萘基。0073在式1中，环CY4和环CY5可各自独立地为包括至少一个氮原子的C1C60杂环基。0074例如，环CY4和环CY5可各自独立地为吲哚基、咔唑基、氮杂吲哚基、氮杂苯并硼杂环戊二烯基、氮杂苯并磷杂环戊二烯基、氮杂茚基、氮杂苯并噻咯基、氮杂苯并锗杂环戊。

49、二烯说明书6/105 页24CN 116615080 A24基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并硒吩基、氮杂苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并硒吩基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩5氧化物基、氮杂9H芴9酮基、氮杂二苯并噻吩5,5二氧化物基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯。

50、并噻二唑基、5,6,7,8四氢异喹啉基或5,6,7,8四氢喹啉基。0075在实施方式中，环CY4和环CY5可各自包括一个氮。0076在实施方式中，环CY4和环CY5可各自独立地为包括至少一个氮原子的六元环。0077在实施方式中，环CY4和环CY5可各自独立地为吡啶基或异喹啉基。0078在实施方式中，由式1表示的稠环化合物可由式11或式12表示：0079式1100800081式1200820083在式11和式12中，b4和b5可各自独立地为选自0至2的整数。0084在式11和式12中，Y1、环CY1至环CY3、环CY5、Ar1至Ar4、R1至R5、a1至a3和a5可各自与本文中描述的相同。008。